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公开(公告)号：CN111952217A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010396665.4
申请日：2020-05-12
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能提高基板的面内蚀刻的均匀性的基板处理装置。基板处理装置(1)是利用气相对基板(W1)的表面进行蚀刻的装置。基板处理装置(1)具备腔室(10)、加热载置部(30)、气体导入部(40)、排气部(50)、以及第一加热部(60)。加热载置部(30)在腔室(10)内加热并载置基板(W1)。气体导入部(40)具有在腔室(10)内设于与基板(W1)对置的位置的导入口(41a)，从导入口(41a)向腔室(10)内导入蚀刻气体。排气部(50)经由形成于腔室(10)的第一排气口(12a)而排出腔室(10)内的气体。第一加热部(60)安装于腔室(10)。
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公开(公告)号：CN118613898A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202280084586.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , F26B3/04 , H01L21/683
Abstract: 本发明具备：处理腔室，具有用以处理基板的处理空间；支撑部，以水平姿势支撑基板且收容于处理空间；流体供给部，通过向处理腔室供给处理流体，在处理空间中使处理流体在固定方向流动；以及流体排出部，从处理腔室排出处理流体。支撑部具有与基板的下表面对向的基板对向面，将基板以从基板对向面向上方离开的状态加以支撑，在处理流体中的在基板与支撑部之间流动的处理流体的层流的路径中，位于固定方向的下游侧的下游路径较位于固定方向的上游侧的上游路径更宽。因此，当通过处理流体从基板去除液体时，能够防止该液体再次附着于基板。
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公开(公告)号：CN117941034A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061611.X
申请日：2022-05-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 提供一种基板处理方法，用以处理具有第一主表面以及第一主表面的相反侧的第二主表面的基板。以使基板的第一主表面的周缘区域露出并覆盖内侧区域的方式形成聚合物膜，该内侧区域在第一主表面中比周缘区域靠内侧且与周缘区域邻接(聚合物膜形成工序)。在聚合物膜形成工序之后，以聚合物膜被维持在第一主表面上的方式对第一主表面供给第一清洗液(第一清洗液供给工序)。在第一清洗液供给工序之后，对第一主表面供给去除液，该去除液比第一清洗液容易使聚合物膜溶解(去除液供给工序)。
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公开(公告)号：CN117397011A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280038083.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的基板处理方法具有：液膜形成工序，将处理液供给至形成有图案的基板的表面，在所述基板的表面形成所述处理液的液膜，所述处理液是使升华干燥用处理剂液化而成的，所述升华干燥用处理剂是使彼此不同的第一升华性物质以及第二升华性物质以共晶组成或接近共晶组成混合而成的；固化膜形成工序，使所述处理液的液膜固化而形成所述升华干燥用处理剂的固化膜；以及升华工序，使所述固化膜升华而从所述基板的表面去除。
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公开(公告)号：CN114975111A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210171497.8
申请日：2022-02-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法是对主面具有金属层的衬底进行处理。所述衬底处理方法包含：氧化金属层形成工序，通过向所述衬底的主面供给氧化性流体，而在所述金属层的表层形成含有1个原子层或数个原子层的氧化金属层；及氧化金属层去除工序，通过向所述衬底的主面供给含有气态水及雾态水中的至少任一个、以及和所述水一起与所述氧化金属层进行反应的反应性气体的蚀刻流体，而对所述氧化金属层进行蚀刻以将其从所述衬底选择性地去除。而且，通过执行至少1次以所述氧化金属层形成工序及所述氧化金属层去除工序为1个循环的循环处理，而在每次循环中以纳米以下的精度控制所述金属层的蚀刻量。
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公开(公告)号：CN114342048A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080061195.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/027 , B08B3/08 , B08B3/10
Abstract: 保持有具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)。在基板(WF)的第2面(S2)上配置有被加压的臭氧水(LQ)。臭氧水在用以进行基板(WF)的处理的使用点被加热。
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公开(公告)号：CN114303243A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080060033.9
申请日：2020-06-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L21/67 , H01L21/3213
Abstract: 半导体元件形成方法，其包括：形成覆盖层(Ps)的工序；和进行蚀刻的工序。在形成覆盖层(Ps)的工序中，形成对设置于由基材(S)支承的层叠结构(L)中的凹槽(R)中位于表面侧的部分进行选择性覆盖的覆盖层(Ps)。在进行蚀刻的工序中，以扩大凹槽(R)中较之覆盖层(Ps)为深部(Rf)的直径的方式，用药液(C)对凹槽(R)的深部(Rf)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN119856248A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380063975.6
申请日：2023-09-08
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 成膜装置(100)具有腔室(1)、载置台(21)及流体头(3)。流体头(3)在腔室(1)内设置在与载置于载置台(21)的基板(W)的第一主面相向的位置。流体头(3)具有等离子体室(4b)、等离子体源(5)、多个第一流出口(4c)、气体流路(6b)及多个第二流出口(6c)。等离子体源(5)使第一原料气体在等离子体室(4b)中等离子体化。第一流出口(4c)在与基板(W)的第一主面在俯视时重叠的重叠区域二维地分散排列。源自第一原料气体的活性种从第一流出口(4c)向基板(W)的第一主面流出。多个第二流出口(6c)在该重叠区域二维地分散排列在与多个第一流出口(4c)不同的位置。第二原料气体从多个第二流出口(6c)向基板(W)的第一主面流出。
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公开(公告)号：CN119542182A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411184786.7
申请日：2024-08-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法及基板处理程序。基板处理装置由第1处理液和第2处理液生成第3处理液，使用上述第3处理液对基板进行处理，基板处理装置具备：喷出口；第1供给路，其与上述喷出口连接；多个第2供给路，其在到上述喷出口为止的流路长度不同的多个混合位置分别与上述第1供给路连接；第1供给部，其向上述第1供给路供给上述第1处理液；和第2供给部，其经由多个上述第2供给路向上述第1供给路供给上述第2处理液，在上述第1供给路的多个上述混合位置处，上述第1供给路内的液体和上述第2处理液从最远离上述喷出口的上述混合位置到最接近上述喷出口的上述混合位置按顺序混合。
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公开(公告)号：CN119132930A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411267332.6
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/42 , G03F7/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置，所述抗蚀剂去除装置(1)的加热板(4)配置于处理空间(20)且被加热至规定的温度。多个升降销(51)在处理空间(20)中保持在上表面(91)上具有抗蚀剂的图案的基板(9)，所述抗蚀剂在表面形成有变质层。销升降机构(32)使多个升降销(51)相对于加热板相对地移动。臭氧气体供给部(6)向基板的上表面(91)供给臭氧气体。控制部(10)将基板配置在与加热板隔开间隙的第一处理位置而利用臭氧气体进行变质层(96)的去除，然后，通过控制移动机构，将基板配置在该间隙比第一处理位置更小的第二处理位置而利用臭氧气体进行抗蚀剂的去除。由此，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板上的抗蚀剂。
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