加工装置及移动体的制造方法

    公开(公告)号:CN111263680A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201780096206.0

    申请日:2017-10-25

    Abstract: 加工装置(1)包括:光照射装置(11),对物体(S、SF)的表面照射加工光(EL);第一位置变更装置(12、15、1122),变更通过光照射装置而形成于物体的表面的照射区域(EA)及物体的至少一者的位置;及控制装置(18),以如下方式控制第一位置变更装置,即,一面变更照射区域及物体的至少一者的位置,一面对物体的表面照射加工光而变更物体的一部分的厚度,由此形成用于减小物体的表面的相对于流体的摩擦阻力的构造。

    EUV光源、EVU曝光装置、及半导体元件的制造方法

    公开(公告)号:CN1973357B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200580020398.4

    申请日:2005-06-22

    Inventor: 白石雅之

    CPC classification number: H05G2/003 H05G2/005

    Abstract: 在已加热的贮槽(4)内,收纳有具有Sn的原子数%小于等于15%的组成的Sn-Ga系合金。将已用压力泵加压的Sn合金导入喷嘴(1),并从设置在真空室7内的喷嘴(1)的前端喷出液态Sn合金。从喷嘴(1)所喷出的液态Sn合金因表面张力而形成为球形,而作为靶(2)。由配置在真空室(7)的外部的Nd:YAG激光源(8)产生的激光,在透镜(9)聚光并导入真空室(7)内。将被照射了激光的靶(2)等离子体化,并辐射包含EUV光的光。

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