原料的气化供给装置以及用于其的自动压力调节装置

    公开(公告)号:CN101479402A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200780024242.2

    申请日:2007-06-13

    CPC classification number: C23C16/4481 C23C16/52 G05D16/2013 Y10T137/7737

    Abstract: 实现基于MOCVD法的用于半导体制造的原料气化供给装置的构造的简易化和小型化,并且高精度地控制原料向加工室的供给量,从而实现半导体的品质的稳定化和品质的提升。本发明的原料气体供给装置,具有:原料容器,贮留原料;流量控制装置,将来自载流气体供给源的一定流量的载流气体(G1)一边调整流量一边向上述原料容器的原料中供给;1次配管路,导出积存在原料容器的上部空间中的原料的蒸气(G4)与载流气体(G1)的混合气体(G0);自动压力调节装置,基于上述1次配管路的混合气体(G0)的压力以及温度的检测值来调节夹设在1次配管路的末端上的控制阀的开度,调节混合气体(G0)所流通的通路截面积,从而保持原料容器内的混合气体(G0)的压力为恒定值;恒温加热部,将上述原料容器以及自动压力调节装置的除了运算控制部的部分加热至设定温度,一边控制原料容器内的内压为期望的压力一边向加工室供给混合气体(G0)。

    常开型压电元件驱动式金属隔膜型控制阀

    公开(公告)号:CN101994870B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010226949.5

    申请日:2006-11-13

    CPC classification number: F16K24/04 F16K7/14 F16K31/004 F16K31/007 F16K51/02

    Abstract: 本发明提供一种常开型压电元件驱动式金属隔膜型控制阀。在高温环境下也能进行高精度的稳定流量控制,并可无需拆卸控制阀自身来调整加在压电元件上的压力。具体由下列构件构成:形成有阀室7a′和阀座7c的阀体7;设置在阀室7a′内,可落入或离开阀座7c的金属隔膜8;固定在阀体7侧的致动器壳体10;设置在致动器壳体10内,因电压的施加而向下方伸长,通过金属隔膜压塞12加压于金属隔膜8的压电元件13;在金属隔膜8向阀座7c坐落时吸收压电元件13的伸长,并可向阀座7c等施加预定压力的碟形弹簧机构14;在压电元件13上常时施加向上的压力,并可从外部调整加在压电元件13上的压力的预压机构21。

    压电元件驱动式金属隔膜型控制阀

    公开(公告)号:CN101994870A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN201010226949.5

    申请日:2006-11-13

    CPC classification number: F16K24/04 F16K7/14 F16K31/004 F16K31/007 F16K51/02

    Abstract: 本发明提供一种压电元件驱动式金属隔膜型控制阀。在高温环境下也能进行高精度的稳定流量控制,并可无需拆卸控制阀自身来调整加在压电元件上的压力。具体由下列构件构成:形成有阀室7a′和阀座7c的阀体7;设置在阀室7a′内,可落入或离开阀座7c的金属隔膜8;固定在阀体7侧的致动器壳体10;设置在致动器壳体10内,因电压的施加而向下方伸长,通过金属隔膜压塞12加压于金属隔膜8的压电元件13;在金属隔膜8向阀座7c坐落时吸收压电元件13的伸长,并可向阀座7c等施加预定压力的碟形弹簧机构14;在压电元件13上常时施加向上的压力,并可从外部调整加在压电元件13上的压力的预压机构21。

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