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公开(公告)号:CN112533868A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN201980050383.4
申请日:2019-07-26
IPC: C01B32/162 , B01J21/12
Abstract: 提供能够以高效率制造高纯度的单层碳纳米管的方法。一种利用气相流动CVD法的碳纳米管的制造方法,其具有:将Al2O3和SiO2的合计质量占总质量的90%以上、且Al2O3/SiO2的质量比处于1.0~2.3的范围的物质(A)加热至1200℃以上的步骤;和使将前述物质(A)加热至1200℃以上的环境中存在的气体与碳纳米管的原料气体接触,从而生成碳纳米管的步骤。
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公开(公告)号:CN104736475B
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201280075466.7
申请日:2012-08-27
Applicant: 株式会社名城毫微碳
Inventor: 桥本刚
IPC: C01B32/174 , B01J13/00
CPC classification number: H01M4/625 , C01B32/174 , C01B2202/06 , H01M4/13 , H01M4/366 , H01M10/0525
Abstract: 这里所公开的制造方法,包含在分散用容器中投入液状介质的步骤;在分散用容器中投入碳纳米管,将该分散用容器的内容物的粘度调整为规定的投入目标值的步骤;使用环形间隙型的珠磨机对分散用容器的内容物进行分散处理,使该内容物的粘度为规定的分散目标值的步骤。并且,该制造方法的特征在于,重复进行碳纳米管的投入和上述分散处理,直至分散用容器的内容物的碳纳米管浓度成为所希望值。根据该制造方法,即使是高浓度的碳纳米管分散液,也能够均质地分散。
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