公开(公告)号：CN1417871A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02157583.5

申请日：2002-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宇田川诚 ,  早川昌彦 ,  小山润 ,  纳光明 ,  安西彩

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/20 ,  H01L27/15 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。