公开(公告)号：CN114864669A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110946304.7

申请日：2021-08-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 雁木比吕 ,  井口智明 ,  小林勇介 ,  根本宏树

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1、第2导电部件、半导体部件以及第1绝缘部件。所述第1导电部件与所述第2电极电连接。或者，所述第1导电部件能够与所述第2电极电连接。所述第2导电部件从所述第2电极以及所述第3电极电绝缘。

公开(公告)号：CN115440819A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210069128.8

申请日：2022-01-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林勇介 ,  清水达雄 ,  井口智明 ,  雁木比吕 ,  根本宏树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1导电构件半导体构件以及第1绝缘构件。第1绝缘构件包括第1～第3位置。第1绝缘构件在第3位置处包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素。第1绝缘构件在第1位置以及第2位置处不包含第1元素。或者，第1位置处的第1元素的浓度以及第2位置处的第1元素的浓度分别比第3位置处的第1元素的浓度低。