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公开(公告)号：CN111416584A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201910635761.7
申请日：2019-07-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式关于高频放大电路及半导体装置。实施方式的高频放大电路具备：第1晶体管，将高频输入信号放大，源极接地；第2晶体管，将由第1晶体管放大的信号进一步放大而生成输出信号，栅极接地；第1电感，连接在第1晶体管的源极与第1基准电位节点之间；第3晶体管，连接在第1晶体管的源极与第1电感之间，在第1模式下导通在第2模式下关断；第1电容器及第1电阻，串联连接在第2晶体管的漏极与该高频放大电路的输出节点之间；第2电阻及第3电阻，串联连接在第3晶体管的栅极与第2基准电位节点之间；电荷泵电路，在第2模式时，将第2电阻及第3电阻的连接节点的电位设定为比第1基准电位节点的电位低的电位。
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公开(公告)号：CN110661494A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910115753.X
申请日：2019-02-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及高频放大电路及半导体设备。高频放大电路具备：第1晶体管，将来自对应的高频开关的上述高频输入信号放大且源极接地；第2晶体管，共源共栅地连接至上述第1晶体管，将以上述第1晶体管放大的信号进一步放大而生成输出信号且栅极接地；第1电感，连接至上述第1晶体管的源极和第1基准电位节点之间；第2电感，连接至上述第2晶体管的漏极和第2基准电位之间；非线性补偿电路，连接至上述第1晶体管和上述第2晶体管的连接节点，补偿对于上述高频输入信号的上述输出信号的非线性。
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公开(公告)号：CN1992509A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610156226.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03F1/52 , H01L27/0251 , H03F2200/444
Abstract: 本发明提供一种功率放大器，该功率放大器的特征在于，具备：有源元件，该有源元件具有使用了至少1个化合物半导体的异质结双极晶体管；二极管，该二极管以与基极·发射极间二极管反方向的方式被连接在上述双极晶体管的基极和发射极间；电阻，该电阻被串联连接在上述二极管和上述双极晶体管的基极之间；和偏压电路，该偏压电路被连接在上述二极管和上述电阻之间。
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公开(公告)号：CN1531192A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028491.7
申请日：2004-03-12
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 栗山保彦
IPC: H03F1/30
CPC classification number: H03F1/0261 , H03F1/302 , H03F3/19 , H03F3/50
Abstract: 本发明提供一种偏置电流供给电路及具有该偏置电流供给电路的放大电路，使用双极晶体管构成，能对利用低电源电压工作的放大电路的集电极电流因温度变化引起的变动进行抑制。本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路，其特征在于，具备：第1、第2双极晶体管，构成协作供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的2个射极跟随器；通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管。
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公开(公告)号：CN100557950C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610156226.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03F1/52 , H01L27/0251 , H03F2200/444
Abstract: 本发明提供一种功率放大器，该功率放大器的特征在于，具备：有源元件，该有源元件具有使用了至少1个化合物半导体的异质结双极晶体管；二极管，该二极管以与基极·发射极间二极管反方向的方式被连接在上述双极晶体管的基极和发射极间；电阻，该电阻被串联连接在上述二极管和上述双极晶体管的基极之间；和偏压电路，该偏压电路被连接在上述二极管和上述电阻之间。
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