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公开(公告)号：CN111697063B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910609701.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/778
Abstract: 实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备第一氮化物半导体层(3)即沟道层，位于第一氮化物半导体层(3)之上且带隙比第一氮化物半导体层第二氮化物半导体层(4)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第一电极(5)即源极电极；位于第一氮化物半导体层(3)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第二电极(7)即漏极电极；位于第一电极(5)与第二电极(7)之间的栅极电极(6)；位于第二氮化物半导体层上且高度与栅极电极(6)相同的第一场板电极(8)；以及位于第一场板电极(8)与第二电极(7)之间的第二场板电极(9)。(3)大的第二氮化物半导体层(4)即阻挡层；位于
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公开(公告)号：CN115831965A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210077077.3
申请日：2022-01-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够提高动作的稳定性的氮化物半导体装置。实施方式的氮化物半导体装置具备：导电性的基板；氮化物半导体层，设于所述基板上；第一电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第二电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第一控制电极，设于所述氮化物半导体层上，并且从上方观察时设于所述第一电极与所述第二电极之间；保护环，设于所述氮化物半导体层上，并且设于配置有所述第一电极、所述第二电极以及所述第一控制电极的区域的周围，在该保护环与所述第一电极之间形成第一电容，在该保护环与所述第二电极之间形成第二电容；以及连接部件，将所述保护环连接于所述基板。
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公开(公告)号：CN115188815A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110842710.9
申请日：2021-07-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417
Abstract: 提供降低了输出电容的半导体装置，具备：基板；第一氮化物半导体层，设置于基板上；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，带隙比第一氮化物半导体层大；第一布线，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿第一方向延伸；第一源极电极及第一栅极电极，设置于第二氮化物半导体层的上方并沿第二方向延伸，第一源极电极与第一布线电连接；及第一漏极电极，具有：沿第二方向延伸的第一至第三漏极布线及第一元件分离区域，在第三漏极布线上设置有包括第一孔、与第一孔相比距第三漏极布线的前端远的第二孔和与第二孔相比距第三漏极布线的前端远的第三孔的第一多个孔，第一孔与第二孔的第一距离比第二孔与第三孔的第二距离短。
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公开(公告)号：CN112530923A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010074582.3
申请日：2020-01-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供噪声被降低的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；常导通晶体管，具有经由第1布线而与第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；第1二极管，具有与第2控制电极电连接的第1阳极和与第3电极电连接的第1阴极；以及电容器，具有与第1阳极及第2控制电极连接的第1端部和第2端部。
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公开(公告)号：CN114188411B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202110023207.0
申请日：2021-01-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H10D30/47 , H10D84/82 , H01L23/528
Abstract: 提供输出电容小的半导体装置，从下到上具备：基板；第一氮化物半导体层；带隙更大的第二氮化物半导体层；第一源极电极；第二源极电极，还具备：设于第一源极电极与第二源极电极间的第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极；设于第二源极电极与第一栅极电极间的第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极；漏极电极，设于第一栅极电极与第二栅极电极间的第二氮化物半导体层之上，具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线间的第二布线、设于第一布线与第二布线间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线；以及设于元件分离区域与第四布线间的绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118693143A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310717029.0
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、绝缘膜、以及位于栅极电极与漏极电极之间且与氮化物半导体层接触且与漏极电极电连接的导体层。漏极电极具有与氮化物半导体层接触的第一部分、和与第一部分相比位于导体层侧的第二部分。绝缘膜具有位于导体层与漏极电极之间的一部分。第二部分设置在绝缘膜的一部分上。
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公开(公告)号：CN118693142A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310715799.1
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置包含第一～第二半导体层、第一～第三电极、导电部和绝缘部。第二半导体层设于第一半导体层之上。第一电极设于第二半导体层之上。第一电极包含电极部和电极延伸部。电极延伸部从电极部的上端部向与从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向垂直的第二方向延伸。第二电极设于第二半导体层之上，在第二方向上与第一电极分离。导电部与第二半导体层的上表面相接，位于第一电极与第二电极之间且与第一电极接触。绝缘部设于导电部之上，位于导电部与电极延伸部之间。第三电极隔着绝缘膜部位于第二半导体层的上方，且位于第一电极与第二电极之间。
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公开(公告)号：CN118693141A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310715794.9
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置和半导体模块。实施方式所涉及的半导体装置包括第一～第二半导体层、第一～第三电极、绝缘区域、导电层。第一半导体层包含氮化物半导体。第二半导体层设置于第一半导体层之上，包含氮化物半导体。第一电极设置于第二半导体层之上。第二电极设置于第二半导体层之上，与第一电极排列。第三电极隔着绝缘膜部位于第二半导体层的上方，位于第一电极与第二电极之间。绝缘区域设置于第二半导体层之上，在第一电极与第二电极之间与第一电极相邻。绝缘区域包括第一绝缘部分以及位于第一绝缘部分的上方的第二绝缘部分。导电层设置于第一绝缘部分与第二绝缘部分之间，与第一电极电连接。
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公开(公告)号：CN118100098A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410225970.5
申请日：2021-01-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。
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公开(公告)号：CN110911483B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201811451853.1
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423
Abstract: 实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1氮化物半导体层；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层相比带隙更大的第2氮化物半导体层；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层电连接的第1电极；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层电连接的第2电极；位于第1电极与第2电极之间的栅极电极；与第1电极连接的第1场板电极；与第1电极电连接、且位于栅极电极与第2电极之间的第2场板电极；位于栅极电极上的第1导电层；和位于第1导电层上的第2导电层。栅极电极与第2场板电极之间的第1距离小于第1导电层与第2场板电极之间的第2距离，且小于等于第2导电层与第2场板电极之间的第3距离。
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