半导体装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102190279B

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201110057139.6

    申请日:2011-03-03

    CPC classification number: H01L29/84 H01L2224/11

    Abstract: 根据一个实施例,半导体装置包括:基板;设置于基板上的有机绝缘膜;形成于该有机绝缘膜上的比该有机绝缘膜薄的无机绝缘膜;中空密封结构,其被形成于无机绝缘膜上,并且将MEMS元件密封于其里面,同时保证中空密封结构自身和MEMS元件之间的空间;被形成用以贯通有机绝缘膜和无机绝缘膜的贯通孔;导电构件,其被充填入贯通孔内,并且电连接MEMS元件和通过被充填入贯通孔内而形成的电极。

    超声波探头及用于制造超声波探头的方法

    公开(公告)号:CN102688067A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210080729.5

    申请日:2012-03-23

    CPC classification number: A61B8/4444 A61B8/4483

    Abstract: 一种超声波探头包括换能器、基板、第一柔性布线基板、第二柔性布线基板和虚设材料,所述基板包括电子部件以及形成在前表面和后表面上的电极,该第一柔性布线基板以这样的方式连接:第一端部连接到换能器并且第二端部连接到位于该基板的前表面一侧的电极,该第二柔性布线基板以这样的方式连接:第一端部连接到换能器并且第二端部连接到位于该基板的后表面一侧的电极,并且虚设材料具有与该第一柔性布线基板的刚性和厚度相同的刚性和厚度,虚设材料被布置在对应于第二柔性布线基板的第二端部、与所述基板的前表面一侧的电极相邻的部位处。

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