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公开(公告)号:CN1957400A
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200580009137.2
申请日:2005-03-24
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y25/00 , G11B5/667 , H01F10/08 , H01F10/3222
Abstract: 本发明的磁记录介质具有基底、垂直磁记录层、以及在所述基底与所述垂直磁记录层之间形成的软磁层,所述软磁层具有小于100nm的厚度、在表面方向上的磁各向异性,以及不小于79T·A/m(10kG·Oe)的饱和磁通密度Bs和矫顽力Hc的乘积Bs·Hc。通过使软磁层的厚度在上述范围内,可稳定在表面方向上的磁各向异性。通过使Bs·Hc在上述范围内,可充分增加静磁能量。因此,可抑制在软磁层中磁壁的产生,可抑制由软磁层产生的噪声,并实现高密度记录。
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公开(公告)号:CN1725304A
公开(公告)日:2006-01-25
申请号:CN200510081819.6
申请日:2005-06-30
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/1278 , G11B5/656 , G11B2005/0005
Abstract: 一种包含垂直双层介质和磁头的垂直磁记录装置,其中垂直双层介质包括基底(1)、包含软磁性层(3a)、中间层(4)和另一个软磁性层(3b)的软垫层(2)、以及垂直记录层(5),其中两个软磁性层(3a,3b)彼此反铁磁性耦合;磁头包括主磁极(51)、旁轭(52)、以及激励线圈(53)。当低频信号通过所述的磁头记录到所述的垂直记录层(5)的时候,包含在所述软垫层(2)中的两个所述的软磁性层(3a,3b)之间的反铁磁性耦合力Hex_afc与在联络测线方向上的MWW最大值一半处的整个宽度之间的关系满足下列公式:Hex_afc>1.6*ln((0.23-MWW)2*100))+25.6。
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公开(公告)号:CN1494058A
公开(公告)日:2004-05-05
申请号:CN03160225.8
申请日:2003-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/012 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B2005/001 , G11B2005/0013 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明披露了一种磁头(1),其包括主磁极(10)和返回磁轭(11)。所述磁头(1)即使在磁盘(2)的软磁层饱和时也能抑制在返回磁轭(11)的边沿发生的侧写。所述磁头(1)还包括被用作写磁头的单极型磁头。
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