公开(公告)号：CN104851920A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510071076.8

申请日：2015-02-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃木真理子 ,  酒井忠司

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/872 ,  H01L21/041 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体装置以及其制造方法，实施方式的半导体装置具备：p型的第一金刚石半导体层；表面被氧终端后的p型的第二金刚石半导体层，配置于第一金刚石半导体层上，且p型杂质浓度比第一金刚石半导体层的p型杂质浓度低；表面被氧终端后的多个n型的第三金刚石半导体层，配置于第二金刚石半导体层上；以及第一电极，配置于第二金刚石半导体层上以及第三金刚石半导体层上，且与第二金刚石半导体层形成第一接合，与第三金刚石半导体层形成第二接合，第一接合与第二接合为肖特基结。

公开(公告)号：CN101037767A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086288.9

申请日：2007-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉田博昭 ,  柳瀬勇 ,  小野富男 ,  佐久间尚志 ,  铃木真理子 ,  酒井忠司

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52

CPC classification number: C30B29/04 ,  C30B25/105 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645

Abstract: 一种金刚石膜形成方法，包括：在低于650℃的温度，在至少包括碳和氢气的第一混合气体中，在金属材料(101)和半导体材料(102)的混合体中，在金属材料(103)的表面上形成金刚石晶核(103)，并且在低于750℃的温度，在至少包括碳和氢气的第二混合气体中，使形成在所述混合体中的金刚石晶核(103)生长以形成金刚石膜(104)。

公开(公告)号：CN101034654A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710001758.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野富男 ,  佐久间尚志 ,  酒井忠司 ,  铃木真理子 ,  吉田博昭

IPC: H01J61/04 ,  H01J61/12 ,  H01J61/54 ,  H01J65/00

CPC classification number: H01J65/00 ,  H01J61/04 ,  H01J61/12 ,  H01J61/545

Abstract: 提供一种放电灯，在该放电灯中，将二次电子发射效率较高且溅射率比较低的金刚石用作冷阴极。该放电灯包括：用放电气体填充的外壳；在外壳的内表面上设置的荧光膜；在外壳内设置并使得在外壳内发生放电的电极；在各电极的表面上设置的金刚石构件；以及包含吸氢合金并在外壳内设置的构件。