公开(公告)号：CN104241347A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410071801.7

申请日：2014-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  押野雄一 ,  河村圭子 ,  田中文悟

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7393

Abstract: 本发明提供具有能够使耐压提高的终端结构的半导体装置。具有：第一导电型的第一半导体层；第一绝缘层，与所述第一半导体层相接而设置；第二导电型的第二半导体层，与所述第一绝缘层相接，设置于所述第一半导体层内；以及多个平坦的场板电极，设置于所述第一绝缘层内，距所述第一半导体层的距离不同，所述多个平坦的场板电极被周期性配置，周期性配置的所述场板电极中的、离单元区域最近的一个周期的所述场板电极与发射电极连接，与发射电极连接的所述场板电极的外侧的所述场板电极成为浮动部半导体装置。