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公开(公告)号：CN100587986C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810004026.8
申请日：2008-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10S362/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。
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公开(公告)号：CN100557834C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710128603.X
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体衬底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反侧的第二表面，该半导体衬底具有形成在第一表面中的凹进部分，并且该凹进部分具有V形横截面；形成在凹进部分的内表面上的反射层；形成在反射层上的第一电极；形成在第二表面上发光层，和形成在发光层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN100517782C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610093141.8
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/3025 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/0228 , H01S5/183 , H01S5/32341 , H01S5/327 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。
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公开(公告)号：CN101276870A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810082459.5
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，能够降低串联电阻，可以使光取出效率提高。本发明的半导体发光器件，包括：活性层(14)，放射波长λ的光；第1导电型的第1半导体层(10、12)，具有设置在活性层(14)上、与活性层(14)相接的第1主面，与第1主面对置的第2主面，及与第2主面相接、与平行于第2主面的面之间具有45度以上且小于90度的斜角的侧面；第2导电型的第2半导体层(18)，夹着活性层(14)与第1半导体层(10、12)对置；及第1电极(20)，夹着第2半导体层(18)与活性层(14)对置；活性层(14)与第1电极(20)间的距离d依存于波长λ及第2半导体层(18)的折射率n。
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