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公开(公告)号：CN111540603A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010082333.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够容易地增大平均设置面积的电容的技术。实施方式的电容器(1)具备：导电基板，具有第1主面、第2主面及从上述第1主面的边缘一直延伸到上述第2主面的边缘为止的端面，在上述第1主面上设置有1个以上的凹部；导电层，将上述第1主面和上述1个以上的凹部的侧壁及底面覆盖；电介质层，夹在上述导电基板与上述导电层之间；第1外部电极(70c)，包括与上述端面对置的第1电极部(70c3)，与上述导电层电连接；及第2外部电极(70d)，包括与上述端面对置的第2电极部(70d3)，与上述导电基板电连接。
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公开(公告)号：CN107665820A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710505113.0
申请日：2017-06-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明的实施方式涉及蚀刻方法、半导体芯片的制造方法及物品的制造方法。提供难以产生针状残留部的蚀刻方法。实施方式的蚀刻方法包括以下步骤：在由半导体形成的表面上形成由贵金属形成的催化剂层(6)，所述催化剂层(6)包含将上述表面至少部分地被覆的第1部分(4)、和位于第1部分(4)上且与上述第1部分(4)相比表观上的密度较小、且较厚的第2部分(5)；和向上述催化剂层(6)供给蚀刻剂(7)，基于上述催化剂层(6)的作为催化剂的作用，对上述表面进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN112635410B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202010579237.5
申请日：2020-06-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的功率模块。功率模块具备：基板，具有第一面；多个电极板，设于所述第一面；半导体芯片，设于所述第一面上；导线，与所述半导体芯片和一个所述电极板连接；金属部件，与一个所述电极板连接；端子板；第一树脂层，在内部配置有所述半导体芯片与所述导线的连接部；以及第二树脂层，设于所述第一树脂层上，弹性率比所述第一树脂层的弹性率低。所述端子板具有：接合部，与所述金属部件的上表面相接，并沿着所述上表面延伸；弯曲部，从所述接合部朝向上方弯曲；以及引出部，被从所述弯曲部引出到外部。所述第二树脂层在内部配置有所述弯曲部，所述接合部的下表面距所述第一面的长度比所述连接部距所述第一面的长度长。
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公开(公告)号：CN107665820B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710505113.0
申请日：2017-06-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明的实施方式涉及蚀刻方法、半导体芯片的制造方法及物品的制造方法。提供难以产生针状残留部的蚀刻方法。实施方式的蚀刻方法包括以下步骤：在由半导体形成的表面上形成由贵金属形成的催化剂层(6)，所述催化剂层(6)包含将上述表面至少部分地被覆的第1部分(4)、和位于第1部分(4)上且与上述第1部分(4)相比表观上的密度较小、且较厚的第2部分(5)；和向上述催化剂层(6)供给蚀刻剂(7)，基于上述催化剂层(6)的作为催化剂的作用，对上述表面进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN110637359A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201980002456.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/822 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 提供一种能够实现大的电容量的电容器。实施方式的电容器(1A)包括：基板(10)，具有第一面与第二面，设置有一个以上的贯通孔(TH1)，该一个以上的贯通孔(TH1)分别从所述第一面延伸至所述第二面；第一导电层(20a)，覆盖所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的贯通孔(TH1)的侧壁；第二导电层(20b)，隔着所述第一导电层(20a)而与所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的贯通孔(TH1)的侧壁相对；以及电介质层(50)，夹设于所述第一导电层(20a)与所述第二导电层(20b)之间。
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