公开(公告)号：CN101038879A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710088574.9

申请日：2007-03-16

Applicant: 株式会社东芝 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐竹秀喜 ,  生田目俊秀

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28097 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种制造MIS半导体器件的方法，包括：在第一导电类型的半导体衬底(10)上形成高介电膜(13a)作为栅极绝缘体(13)；在具有氢气和氧气的环境中对半导体衬底进行热处理以在半导体衬底(10)和高介电膜(13a)之间形成界面层(13b)；在形成界面层(13b)之后，在高介电膜(13a)上形成导电膜(14)；以栅极图案处理导电膜以形成栅电极(14)；以及用栅电极(14)作为掩模，用第二导电类型的杂质对半导体衬底(10)掺杂而形成源极/漏极区(18，19)。

公开(公告)号：CN109216758A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811060324.9

申请日：2014-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本大 ,  渡边祐辉 ,  猿渡秀乡 ,  栗山和哉 ,  佐竹秀喜

IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明提供能够抑制自放电和电阻上升的使用了能够以0.78V(相对于Li/Li+)以上的电位对锂进行嵌入及脱嵌的负极活性物质的非水电解质电池和该非水电解质电池的制造方法。实施方式的非水电解质电池(1)具备负极(5)。负极(5)具备包含能够以0.78V(相对于Li/Li+)以上的电位对锂进行嵌入及脱嵌的负极活性物质的负极材料层(5b)。在负极材料层(5b)的至少一部分表面上，形成有含有具有由下述式(1)的丙二醇骨架的化合物的覆膜。具有丙二醇骨架的化合物在覆膜中的含量以负极材料层(5b)每1g重量计为2μmol～40μmol的量。

公开(公告)号：CN105900266B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201480072402.0

申请日：2014-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 栗山博道 ,  猿渡秀乡 ,  佐竹秀喜

IPC: H01M4/131 ,  H01M4/136 ,  H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/366 ,  H01M4/131 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/028

Abstract: 根据一个实施方式，提供一种电极。该电极具备电极合材层以及在至少一面上担载有电极合材层的集电体。电极合材层包含含有Li以及至少一种过渡金属的活性物质粒子。所述电极合材层包含与所述集电体接触的第1面以及自所述第1面相距所述电极合材层的厚度的第2面。所述电极合材层含有包含第1面的第1部分以及包含第2面的第2部分。所述电极合材层的第1部分和所述第2部分的各自中，在活性物质粒子的表面分别形成有第1氧化物层和第2氧化物层。第1氧化物层的厚度比所述第2氧化物层的厚度大。

公开(公告)号：CN104466252B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201410465032.9

申请日：2014-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本大 ,  猿渡秀乡 ,  田中政典 ,  栗山和哉 ,  佐竹秀喜 ,  林田浩孝

IPC: H01M10/058

CPC classification number: H01M10/0569 ,  H01M2/0207 ,  H01M2/024 ,  H01M2/026 ,  H01M2/0262 ,  H01M2/0287 ,  H01M2/1626 ,  H01M2/1653 ,  H01M2/18 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/043 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/485 ,  H01M4/623 ,  H01M4/625 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0587 ,  H01M2004/027 ,  H01M2004/028 ,  H01M2300/0037

Abstract: 实施方式提供一种低温下的输出特性优良的非水电解质二次电池以及电池包。实施方式的非水电解质二次电池的其特征在于，其包含：外包装构件；收纳在外包装构件内的含有含钛氧化物的负极；收纳在外包装构件内的正极；收纳在外包装构件内且配置在正极与负极之间的隔膜；以及收纳在外包装构件内的非水电解液，其中，非水电解液的溶剂中含有至少一种以上的链状碳酸酯类，链状碳酸酯在－20℃下的自扩散系数为1.4×10－10m2/秒以上且2.0×10－10m2/秒以下。

公开(公告)号：CN103210531B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201280003649.8

申请日：2012-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本大 ,  岩崎拓哉 ,  原田康宏 ,  稻垣浩贵 ,  佐竹秀喜

IPC: H01M4/485 ,  H01M2/10 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/36

CPC classification number: H01M4/131 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/622 ,  Y02P70/54

Abstract: 根据一个实施方式，可提供包含集电体和设在集电体上的活性物质层的电池用电极。活性物质层包含具有尖晶石结构的钛酸锂化合物的粒子和碱性聚合物。其中，碱性聚合物覆盖钛酸锂化合物粒子表面的至少一部分。

公开(公告)号：CN103608961A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280029044.6

申请日：2012-02-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松野真辅 ,  山本大 ,  佐竹秀喜 ,  高见则雄

IPC: H01M10/0525 ,  H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/58

CPC classification number: H01M4/136 ,  H01M2/023 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/5825 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02T10/7011 ,  H01M4/02 ,  H01M2/0417

Abstract: 本发明目的在于提供具有在耐水性方面优异的正极活性物质的非水电解质二次电池。实施方案的非水电解质二次电池，其特征在于，具备正极和负极，所述正极含有由在中心部具有橄榄石型的LiFePO4；在所述中心部的外侧具有由LiFexPyOz表示的磷酸铁锂的中间部；和在所述中间部的外侧具有由LiFeaPbOc表示的磷酸铁锂的表面部构成的正极活性物质粒子，所述负极含有钛酸锂，相对于所述中心部的磷酸铁锂的P的Fe的摩尔浓度比，为比所述LiFexPyOz的x/y的平均大；所述正极活性物质粒子的表面部的LiFeaPbOc的a/b的平均值比所述LiFexPyOz的x/y的平均小，所述中心部含有LiFexPyOz的x/y从表面部向中心部方向上连续地或断续地变大的区域。

公开(公告)号：CN1278428C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN03159496.4

申请日：2003-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐竹秀喜

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/225 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28211

Abstract: 公开一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底表面上形成的沟道区域；在半导体衬底沟道区域的两边形成的第二导电类型的源和漏区；覆盖沟道区域的绝缘层；以及在绝缘层上形成的栅电极，绝缘层以如下方式包含杂质原子，即在平行于半导体衬底的表面上不均匀分布。

公开(公告)号：CN1497736A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03159496.4

申请日：2003-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐竹秀喜

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/225 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28211

Abstract: 公开一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底表面上形成的沟道区域；在半导体衬底沟道区域的两边形成的第二导电类型的源和漏区；覆盖沟道区域的绝缘层；以及在绝缘层上形成的栅电极，绝缘层以如下方式包含杂质原子，即在平行于半导体衬底的表面上不均匀分布。

公开(公告)号：CN109216758B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201811060324.9

申请日：2014-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本大 ,  渡边祐辉 ,  猿渡秀乡 ,  栗山和哉 ,  佐竹秀喜

IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明提供能够抑制自放电和电阻上升的使用了能够以0.78V(相对于Li/Li+)以上的电位对锂进行嵌入及脱嵌的负极活性物质的非水电解质电池和该非水电解质电池的制造方法。实施方式的非水电解质电池(1)具备负极(5)。负极(5)具备包含能够以0.78V(相对于Li/Li+)以上的电位对锂进行嵌入及脱嵌的负极活性物质的负极材料层(5b)。在负极材料层(5b)的至少一部分表面上，形成有含有具有由下述式(1)的丙二醇骨架的化合物的覆膜。具有丙二醇骨架的化合物在覆膜中的含量以负极材料层(5b)每1g重量计为2μmol～40μmol的量。

公开(公告)号：CN109065842B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201810895174.7

申请日：2014-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 栗山博道 ,  猿渡秀乡 ,  佐竹秀喜

IPC: H01M4/131 ,  H01M4/136 ,  H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/62

Abstract: 根据一个实施方式，提供一种电极。该电极具备电极合材层以及在至少一面上担载有电极合材层的集电体。电极合材层包含含有Li以及至少一种过渡金属的活性物质粒子。所述电极合材层包含与所述集电体接触的第1面以及自所述第1面相距所述电极合材层的厚度的第2面。所述电极合材层含有包含第1面的第1部分以及包含第2面的第2部分。所述电极合材层的第1部分和所述第2部分的各自中，在活性物质粒子的表面分别形成有第1氧化物层和第2氧化物层。第1氧化物层的厚度比所述第2氧化物层的厚度大。