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公开(公告)号：CN1324712C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410034250.3
申请日：2004-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104 , Y10S257/903
Abstract: 6晶体管型SRAM存储单元一直多采用横型存储单元布局，但因是横长形，例如当使位线为第2或第3层布线时，前者在横向延伸的字线与VSS电源在同一层中靠近地并排延伸，从而字线寄生电容增大和布线微粒引起的成品率降低；后者的位线被VSS电源与VDD电源夹着并排延伸，从而位线寄生电容增大。本发明分别用第2、第3、第4层布线配置正/负位线、字线、VSS电源布线，并将VDD电源布线配置在正/负位线之间。另外，分别用第2、第3、第4层布线配置字线、正/负位线、VSS电源布线，并将VDD电源布线配置在正/负位线之间。另外，分别用第2、第3、第4、第5层布线配置VDD电源布线、正/负位线、字线、VSS电源布线。另外，分别用第2、第3、第4、第5层布线配置正/负位线、VDD电源布线、字线、VSS电源布线。
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公开(公告)号：CN1228854C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02126261.6
申请日：2002-07-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 里见胜治
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246
CPC classification number: G11C17/12
Abstract: 一种只读存储器，在位线上，与读出的数据“0”对应，连接NchMOS晶体管。定电流输出电路以与NchMOS晶体管同样的负载晶体管的断开漏电流为基准电流，构成与各位线上连接的NchMOS晶体管的数量对应的磁镜比的电流镜电路。定电流输出电路的PchMOS晶体管与位线相连，提供与NchMOS晶体管的断开漏电流对应的电流。由此，不会导致访问时间的增大，准确地防止晶体管等的断开漏电流导致的错误动作。
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公开(公告)号：CN1248090A
公开(公告)日：2000-03-22
申请号：CN99119063.7
申请日：1999-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G05F1/573 , G05F1/575 , Y10S323/908
Abstract: 一种电源电路,包括:将电流供到输出端4的输出晶体管1;和控制输出晶体管1的电流供给,使得基准电压REF和输出电压OUT相等的差动放大电路2。在差动放大电路2的输出级的电流通路上设置作为源随器的抑制用晶体管11,它的源电位控制输出晶体管1的栅电位。在电源电路启动之前,由动作控制部15给电容器16充电,而在初始动作时靠电流源17使电容器16逐渐放电。因此,输出晶体管1的栅源极间电压逐渐上升,突入电流的产生可被抑制。
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公开(公告)号：CN1234643A
公开(公告)日：1999-11-10
申请号：CN99107523.4
申请日：1999-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/338
CPC classification number: H02M3/1584 , G05F1/565 , H02M2001/0045
Abstract: 一种电源装置,包括一个电源电路,用于把一个输入电压变换成一个输出电压并且把该输出电压提供给一个负载。电源电路包括:多个具有不同变换效率的电压变换电路和一个选择电路,用于选择多个电压变换电路之中的一个电压变换电路以便改进电源电路的变换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1198376C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN00800170.7
申请日：2000-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M1/36 , H02M1/32 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466
Abstract: 一种同步整流式开关稳压器，其具备：在电源(Vdd)和接地(Vss)之间串联连接的第1及第2开关(SW1、SW2)；对开关(SW1、SW2)进行通断控制的开关控制部(1)；将输出节点电位(Vnd)平滑化的平滑电路(4)。在第1开关(SW1)导通期间内，若信号(Sc1)表征输出节点电位(Vnd)低于为突入电流检测基准的第1基准电位(Vr1)，控制电路(10)则将第1开关(SW1)断开。换句话说，本发明中，利用第1开关(SW1)的通态电阻所引起的压降来检测突入电流，因此不用设置用以检测突入电流的电阻元件。
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公开(公告)号：CN1536674A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410034250.3
申请日：2004-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104 , Y10S257/903
Abstract: 6晶体管型SRAM存储单元一直多采用横型存储单元布局，但因是横长形，例如当使位线为第2或第3层布线时，前者在横向延伸的字线与VSS电源在同一层中靠近地并排延伸，从而字线寄生电容增大和布线微粒引起的成品率降低；后者的位线被VSS电源与VDD电源夹着并排延伸，从而位线寄生电容增大。本发明分别用第2、第3、第4层布线配置正/负位线、字线、VSS电源布线，并将VDD电源布线配置在正/负位线之间。另外，分别用第2、第3、第4层布线配置字线、正/负位线、VSS电源布线，并将VDD电源布线配置在正/负位线之间。另外，分别用第2、第3、第4、第5层布线配置VDD电源布线、正/负位线、字线、VSS电源布线。另外，分别用第2、第3、第4、第5层布线配置正/负位线、VDD电源布线、字线、VSS电源布线。
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公开(公告)号：CN1149657C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN00800979.1
申请日：2000-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11807 , H01L27/0207 , H01L27/0251
Abstract: 为了提供在标准单元方式的LSI设计中具有充分的抑制电源噪声的效果且可实现充分的电源稳定化的LSI配置方法，在标准单元的自动配置布线的LSI设计中，具备电源电容单元作为标准单元之一，关于电源电容单元，根据作为标准单元之一的各逻辑门单元的驱动负载电容值来确定电容值，配置在逻辑门单元的附近。
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公开(公告)号：CN1398003A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02126261.6
申请日：2002-07-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 里见胜治
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246
CPC classification number: G11C17/12
Abstract: 一种只读存储器，在位线上，与读出的数据“0”对应，连接NchMOS晶体管。定电流输出电路以与NchMOS晶体管同样的负载晶体管的断开漏电流为基准电流，构成与各位线上连接的NchMOS晶体管的数量对应的磁镜比的电流镜电路。定电流输出电路的PchMOS晶体管与位线相连，提供与NchMOS晶体管的断开漏电流对应的电流。由此，不会导致访问时间的增大，准确地防止晶体管等的断开漏电流导致的错误动作。
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公开(公告)号：CN1294773A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN00800170.7
申请日：2000-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M1/36 , H02M1/32 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466
Abstract: 一种同步整流式开关稳压器,其具备:在电源Vdd和接地Vss之间串联连接的第1及第2开关SW1、SW2;对开关SW1、SW2进行通、断控制的开关控制部1;将输出节点电位Vnd平滑化的平滑电路4。在第1开关SW1导通期间内,若信号Scl表征输出节点电位Vnd低于为突入电流检测基准的第1基准电位Vrl,控制电路10则将第1开关SW1断开。换句话说,本发明中,利用第1开关SW1的通态电阻所引起的压降来检测突入电流,因此不用设置用以检测突入电流的电阻元件。
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