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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100421176C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200410074129.3
申请日：2004-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C7/1096 , G11C7/062 , G11C7/1078
Abstract: 一种半导体集成电路装置，包括：第一和第二非易失性存储元件；第一放大器，用于放大第一非易失性存储元件的输出信号，以输出放大了的信号；以及第二放大器，用于向第一放大器输出控制信号，该控制信号是通过放大第二非易失性存储元件的输出信号而产生的。第二放大器基于存储在第二非易失性存储元件中的数据，将第一放大器的输出信号固定在高电势或低电势。
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公开(公告)号：CN100419915C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410074601.3
申请日：2004-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/06 , H01L27/115
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括：第一位单元，第一位单元包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管的源极和漏极连接以形成第一控制栅，第二MOS晶体管具有与第一MOS晶体管公共的浮栅；第二位单元，第二位单元包括第三MOS晶体管和第四MOS晶体管，第三MOS晶体管的源极和漏极连接以形成第二控制栅，第四MOS晶体管具有与第三MOS晶体管公共的浮栅；以及差分放大器，接收来自各个第二和第四MOS晶体管的漏极的输入信号。
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公开(公告)号：CN1801388A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510123689.8
申请日：2005-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C7/00 , G11C11/413 , G11C16/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置。从解码电路203输出的选择信号211～214根据单元组指定电路202中的位单元100中熔丝元件的切断状态选择性地成为高电平。于是，任一个传输门221、223成为导通状态，进行数据的写入、读出的数据位单元组201a～201c被选择。因此，通过依次切断单元组指定电路202内的熔丝元件，便能多次改写存储数据。结果是，本发明，能够利用具有熔丝元件等仅能写入一次的存储元件进行多次写入，同时还能够减小电路规模。
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公开(公告)号：CN1225025C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN02155863.9
申请日：2002-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
Abstract: 在现有半导体存储装置中，为实现高速存储，在字线上层设置贴衬布线并在另外设置于存储单元阵列部端部的贴衬区域连接字线和贴衬布线，但是，造成了存储单元阵列部面积的增大。通过利用标准CMOS工艺进行存储单元阵列部的布局，由MOS晶体管及MOS电容器构成各存储单元。由于该结构的存储单元位线之间间隔非常大，因此在位线之间设置借助于与位线同层的低电阻金属布线来连接字线和上层贴衬布线的接点。这样，无需在存储单元阵列部的端部另外设置贴衬区域或增大利用标准CMOS工艺进行布局的存储单元的尺寸和扩大存储单元之间的间隔，所以，不会导致存储单元阵列部面积的增大或芯片面积的增大，能够在各存储单元设置用于贴衬字线的接点，抑制字线驱动信号的传播延迟，实现高速存储。
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