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公开(公告)号：CN102224620A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201080003312.8
申请日：2010-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/139 , H01G9/058 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/1395
CPC classification number: H01M4/485 , H01G11/28 , H01G11/50 , H01G11/70 , H01G11/86 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , Y02E60/13 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供电化学元件用电极的制造方法、电化学元件用电极和电化学元件，其涉及制造电化学元件用电极，能够提供容易且可靠地除去在真空中生成的、活性物质层表面的突起物的方法。在电化学元件用电极的制造中，进行在集电体上通过真空处理形成能够吸藏和放出锂的活性物质层的第一工序；使上述活性物质层吸藏锂的第二工序；和将上述吸藏了锂的活性物质层表面的突起物除去的第三工序。
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公开(公告)号：CN103959470A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280056953.9
申请日：2012-11-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/124 , H01L27/3248
Abstract: EL显示装置具有：在一对电极之间配置有发光层的发光部、和控制所述发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置。在发光部与薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且发光部的一方的阳极(2)介由层间绝缘膜(34)的接触孔(35)与薄膜晶体管阵列装置电连接。进一步地，薄膜晶体管阵列装置具有介由层间绝缘膜(34)的接触孔(35)与发光部的阳极(2)电连接的电流供给用的中继电极(31)，并且在发光部的一方的阳极(2)与薄膜晶体管阵列装置的电流供给用的中继电极(31)的界面形成有扩散防止膜(36)。
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公开(公告)号：CN101821422B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200880110929.2
申请日：2008-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/246 , B22D11/10 , B22D11/143 , C23C14/30 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供能够以低成本进行成膜的成膜方法和成膜装置。本发明的成膜方法包括：(i)将薄膜的固体原料(51)熔融，形成熔融液，使该熔融液(51a)凝固，形成棒状体(51b)，将该棒状体(51b)拉出的工序；(ii)使棒状体(51b)的一部分熔融，向熔融液(蒸发源)(51d)供给的工序；和(iii)使用熔融液(蒸发源)(51d)形成薄膜的工序。并且，工序(i)、(ii)和(iii)在真空中进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101849033B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880114890.1
申请日：2008-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供能够均匀且充分地冷却基板的薄膜形成装置和薄膜形成的方法。本发明的薄膜形成装置在真空中、在长条的基板上形成薄膜，该薄膜形成装置包括：在开口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷却体(1)、向冷却体(1)与基板(21)之间导入气体的气体导入部件、在开口部(31)对移动中的基板的宽度方向两端附近进行约束的基板约束部件(3)。
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公开(公告)号：CN102272346A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003995.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/246 , C23C14/30 , C23C14/562 , F27B14/02 , F27B14/04
Abstract: 本发明提供通过维持坩埚中的成膜材料的熔液状态并且倾动坩埚，能够从坩埚将大致总量的成膜材料排出并防止坩埚的开裂破损的薄膜的制造装置。该装置具有：为保持成膜材料(3)而具有上部具备开口部的收容部的成膜源9；通过对收容部中的成膜材料照射电子束(6)而将成膜材料熔融形成熔液，并且使成膜材料蒸发的电子枪(5)；通过使成膜源(9)从成膜时的姿势倾动到不能够在收容部内保持熔液的倾斜姿势而从收容部排出熔液的倾动机构(8)；用于收容成膜源和倾动机构并在内部在基板上形成薄膜的真空槽(22)；和将真空槽内排气的真空泵(34)，倾动成膜源(9)的轨迹或电子束(6)的轨道被控制以使得在将成膜源(9)从成膜时的姿势倾动到倾斜姿势的期间继续地对收容部中的熔液照射电子束(6)。
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公开(公告)号：CN102131599A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132604.9
申请日：2009-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供可以反复使用和在凝固时膨胀的铸棒的制造效率和成品率提高的铸棒形成用铸模、使用该铸模的铸造装置以及用于高效率地制造上述铸棒的铸棒制造方法。作为铸棒形成用的铸模(10)，使用下述铸模，该铸模具备模块组件(12)和紧固单元(18～21)，该模块组件(12)并列排列有多个模块(14)，具有多个沿纵向(16)延伸的型腔(26)，该紧固单元(18～21)在与纵向(16)正交的方向紧固模块组件(12)。在该铸模10中，多个模块(14)分别具有1处以上的形成型腔(26)的周面的一部分的型腔形成部(28)，型腔(26)通过2个以上的模块(14)的组合来形成，多个模块(14)中的至少一个模块具有2处以上的型腔形成部(28)。
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公开(公告)号：CN102084022A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125968.4
申请日：2009-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/246 , C23C14/20 , C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M6/40 , H01M10/052
Abstract: 使从蒸发源(9)飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置(33)沉积于基板(21)上使得在基板(21)上形成薄膜。在使含有薄膜的原料的块状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔化的同时，将熔化了的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为块状材料(32)，使用内包有多个孔隙的硅材料(32)。优选孔隙具有比大气压低的平均内部压力。更优选平均内部压力为0.1大气压以下。
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公开(公告)号：CN101821422A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110929.2
申请日：2008-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/246 , B22D11/10 , B22D11/143 , C23C14/30 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供能够以低成本进行成膜的成膜方法和成膜装置。本发明的成膜方法包括：(i)将薄膜的固体原料(51)熔融，形成熔融液，使该熔融液(51a)凝固，形成棒状体(51b)，将该棒状体(51b)拉出的工序；(ii)使棒状体(51b)的一部分熔融，向熔融液(蒸发源)(51d)供给的工序；和(iii)使用熔融液(蒸发源)(51d)形成薄膜的工序。并且，工序(i)、(ii)和(iii)在真空中进行。
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