公开(公告)号：CN102326262A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008716.6

申请日：2010-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  伊藤彰宏

IPC: H01L31/042 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN层，在n型GaN层上形成由InxGa1-xN构成的光吸收层，在光吸收层上形成p型GaN层，在p型GaN层上形成p型GaN接触层。

公开(公告)号：CN102742024A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180007851.3

申请日：2011-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  松下明生

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的太阳能电池的制造方法包含：在石墨基板上（101）的表面依次形成无定形碳层（102）、AlN层（103）和n型氮化物半导体层（105）的工序；在n型氮化物半导体层上形成具有多个开口部的掩模层（106）的工序；在从多个开口部露出的n型氮化物半导体层的部分上形成多个第二n型氮化物半导体层（107）的工序；在多个第二n型氮化物半导体层上形成由氮化物半导体构成的多个光吸收层（109）的工序；在多个光吸收层上形成多个p型氮化物半导体层（109）的工序；和形成p侧电极（111）的工序和形成n侧电极（112）的工序。

公开(公告)号：CN102473808A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002705.1

申请日：2011-04-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中浩之 ,  长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  藤井映志

IPC: H01L33/42 ,  H01L21/28 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，发光二极管还具有在单晶n型ZnO透明电极膜上形成的多个单晶ZnO棒，各单晶ZnO棒的下部，具有从单晶ZnO透明电极膜向n型氮化物半导体层去变尖的倒锥形。

公开(公告)号：CN102365796A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080009947.9

申请日：2010-11-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 萩野裕幸 ,  大野启 ,  山中一彦 ,  长尾宣明 ,  滨田贵裕

IPC: H01S5/22 ,  H01L33/14 ,  H01L33/34 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体发光元件，其具备：氮化物半导体层(101)，其具有第一覆层(111)，活性层(113)以及第二覆层(116)；以及电流阻挡层(121)，其对活性层(113)选择性地注入电流。第二覆层(116)具有条纹状的山脊部(116a)。电流阻挡层(121)在山脊部(116a)的两侧区域分别形成，且由具有结晶构造的氧化锌构成。

公开(公告)号：CN102301042A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006097.7

申请日：2010-11-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨田贵裕 ,  伊藤彰宏 ,  长尾宣明

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/12 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02554 ,  C30B7/12 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628

Abstract: 在廉价的石墨基板上设置无定形碳层，采用电解沉积法在上述无定形碳层上使c轴取向的氧化锌的单晶生长。ZnO和GaN为相同的纤锌矿型的晶体结构，晶格失配非常小，因此，形成有单晶ZnO的石墨基板不仅能够作为用于形成ZnO半导体层的同质外延生长用的基板使用，还能够作为使用了GaN半导体层的异质外延生长用的基板使用。

公开(公告)号：CN101542674B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200880000594.9

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅野洋 ,  滨田贵裕 ,  白石诚吾

IPC: H01J11/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/40

Abstract: 本发明提供能够通过改良保护层的放电特性，抑制放电延迟的发生，即使是高精细单元结构也能够得到优异的图像显示性能的PDP及其制造方法。具体地说，在表面层(8)的表面部分，形成在表面和表面附近的区域将包含卤素原子的氧化镁微粒(16a)平面分散配置的氧化镁微粒层(16)。具体地说，调整为卤素原子包含于氧化镁微粒(16a)的表面以及表面附近(特别是从粒子表面向粒子内部至少4nm以下的区域)。