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公开(公告)号：CN100387365C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510074277.X
申请日：2003-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B08B3/02
CPC classification number: B08B7/0021 , Y10S134/902
Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。一种利用加压流体的清洗方法，在通过使加压流体(380)与被清洗物(214)接触以去除附着在上述被清洗物表面的杂质(381)的清洗方法中，上述被清洗物的密度在上述流体的液体密度以下，通过变化上述流体的压力、温度中的至少一个条件，反复上述流体密度对于上述被清洗物密度的高低，使上述被清洗物在上述流体中上下运动，产生搅拌效果，使上述被清洗物与上述流体接触，从而去除附着在上述被清洗物表面的杂质。
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公开(公告)号：CN1320966C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN03811605.7
申请日：2003-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B08B7/0021
Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。在去除附着在具有凹部构造的部件(31)的至少上述凹部构造表面的附着物的清洗方法中，使用超临界气体或液化气体使清洗介质不遍布在上述凹部构造表面来进行清洗。
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公开(公告)号：CN1311553C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02824786.8
申请日：2002-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 一种非易失性存储器(1)，包括：具有贯通表背面的多个第一电极(15)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一方面侧形成的第二电极(12)；和夹持在第一电极(15)与第二电极(12)之间，通过在第一电极(15)与第二电极(12)之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层(14)，在构成单一的存储单元(MC)的区域中，使多个第一电极(15)与记录层(14)电连接。如果利用该非易失性存储器(1)，则可以减少消耗功率，能够得到高的设计自由度和可靠性。
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公开(公告)号：CN1689230A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824600.7
申请日：2003-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/4087 , G11C11/22 , G11C11/4074
Abstract: 电压发生电路包含：电容器(4)、与电容器(4)串联连接的强电介质电容器(6)、输出端子(11)、使输出端子(11)接地的电容器(10)、电源电压供给端子(13)、连接电源电压供给端子(13)和2只电容器(4、6)的连接结点(N1)的开关(1)、以及连接连接结点(N1)和输出端子(11)的开关(9)。在第1期间，在使开关(1)及(9)为断开状态的状态下，使端子(3)接地，并把电源电压供给端子(7)，在第2期间，把电源电压供给端子(3)，且使开关(9)为导通状态，在第3期间，使开关(9)为断开状态，使开关(1)为导通状态，且使端子(7)接地，在第4期间，把电源电压供给端子(7)，从前述第1期间直到前述第4期间顺序重复进行。
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公开(公告)号：CN1383166A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02102814.1
申请日：2002-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/86 , C01P2006/33 , C01P2006/42 , C09C3/12 , G11B5/712 , G11B5/74 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/5671 , G11C2216/08 , H01F1/0306 , H01F1/047 , H01F10/007 , H01F10/123 , H01F41/305 , H01L29/42324 , Y10T428/1114 , Y10T428/1193 , Y10T428/24388 , Y10T428/24893 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998 , Y10T428/31667
Abstract: 作为把微粒(30)固定到衬底(32)上边的排列体,在上述微粒(30)的表面上,形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜(31),在上述衬底(32)表面上形成与上述衬底表面进行键合的有机涂敷膜(33),在上述微粒表面的有机涂敷膜(31)与上述衬底表面的有机涂敷膜(33)之间形成键(34),使上述微粒固定排列在上述衬底上。由此,可以把纳米规模的微粒(30)排列到规定的位置上。此外,在应用于磁性粒子的情况下,可以得到使高记录密度成为可能的磁记录媒体,可以实现高密度磁记录再生装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1346155A
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN01119632.7
申请日：2001-03-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , G11C11/16
Abstract: 磁阻元件由2个阻性元件串联连接而成,至少一个是用磁阻元件。两个均为磁阻元件时,可相互独立地控制磁阻,因第1磁阻元件的非磁性体是电绝缘体、第2磁阻元件的非磁性体是导电体,使第2磁阻元件作为偏压控制元件动作,而进行第1磁阻元件的特性控制,并控制施加到存储元件上的电压。另外,将另一个用可变电阻元件构成时,可抑制来自非选择的存储元件的偏压,提高存储元件的选择性。
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公开(公告)号：CN1264159A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN00100676.2
申请日：2000-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/31 , H01L21/469
CPC classification number: H01L29/513 , C23C16/409 , C23C16/4485 , H01L21/28167 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28291 , H01L21/31691 , H01L29/516 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 将硅衬底11置入容器17内。向容器17内供入金属有机络合物和超临界状态的二氧化碳,在白金薄膜13上形成BST薄膜14,与此同时,除去形成BST薄膜14时所生成的含碳化合物。利用含碳化合物在超临界状态的二氧化碳中的熔解度很高,超临界状态的二氧化碳的粘度很低这一特性,可有效地除去BST薄膜14中的含碳化合物。利用超临界状态或亚临界状态的水等进行低温下的氧化、氮化等处理,还可以形成氧化膜、氮化膜等。
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公开(公告)号：CN107516471B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710679587.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H05B33/26 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
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公开(公告)号：CN101147909B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710152843.3
申请日：2003-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B08B7/0021 , Y10S134/902
Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。在去除附着在具有凹部构造的部件(31)的至少上述凹部构造表面的附着物的清洗方法中，使用超临界气体或液化气体使清洗介质不遍布在上述凹部构造表面来进行清洗。
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公开(公告)号：CN101147908A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152842.9
申请日：2003-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B08B7/0021 , Y10S134/902
Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。在去除附着在具有凹部构造的部件(31)的至少上述凹部构造表面的附着物的清洗方法中，使用超临界气体或液化气体使清洗介质不遍布在上述凹部构造表面来进行清洗。
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