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公开(公告)号：CN101849033B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880114890.1
申请日：2008-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供能够均匀且充分地冷却基板的薄膜形成装置和薄膜形成的方法。本发明的薄膜形成装置在真空中、在长条的基板上形成薄膜，该薄膜形成装置包括：在开口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷却体(1)、向冷却体(1)与基板(21)之间导入气体的气体导入部件、在开口部(31)对移动中的基板的宽度方向两端附近进行约束的基板约束部件(3)。
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公开(公告)号：CN102272346A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003995.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/246 , C23C14/30 , C23C14/562 , F27B14/02 , F27B14/04
Abstract: 本发明提供通过维持坩埚中的成膜材料的熔液状态并且倾动坩埚，能够从坩埚将大致总量的成膜材料排出并防止坩埚的开裂破损的薄膜的制造装置。该装置具有：为保持成膜材料(3)而具有上部具备开口部的收容部的成膜源9；通过对收容部中的成膜材料照射电子束(6)而将成膜材料熔融形成熔液，并且使成膜材料蒸发的电子枪(5)；通过使成膜源(9)从成膜时的姿势倾动到不能够在收容部内保持熔液的倾斜姿势而从收容部排出熔液的倾动机构(8)；用于收容成膜源和倾动机构并在内部在基板上形成薄膜的真空槽(22)；和将真空槽内排气的真空泵(34)，倾动成膜源(9)的轨迹或电子束(6)的轨道被控制以使得在将成膜源(9)从成膜时的姿势倾动到倾斜姿势的期间继续地对收容部中的熔液照射电子束(6)。
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公开(公告)号：CN101946021A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105706.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/466
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。
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公开(公告)号：CN101821422A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110929.2
申请日：2008-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/246 , B22D11/10 , B22D11/143 , C23C14/30 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供能够以低成本进行成膜的成膜方法和成膜装置。本发明的成膜方法包括：(i)将薄膜的固体原料(51)熔融，形成熔融液，使该熔融液(51a)凝固，形成棒状体(51b)，将该棒状体(51b)拉出的工序；(ii)使棒状体(51b)的一部分熔融，向熔融液(蒸发源)(51d)供给的工序；和(iii)使用熔融液(蒸发源)(51d)形成薄膜的工序。并且，工序(i)、(ii)和(iii)在真空中进行。
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