公开(公告)号：CN102473599A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180003211.5

申请日：2011-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  内田正雄 ,  高桥邦方

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0475 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体芯片及其制造方法。本发明的半导体芯片是具备具有机械物性的各向异性的六方晶系的半导体层的半导体装置，从垂直于半导体芯片(21)的方向看时，半导体芯片(21)具有四角形的形状，该四角形具有第1边(1A)、和与第1边(1A)正交的第2边(1B)，第1边(1A)延伸的方向的热变形量和第2边(1B)延伸的方向的热变形量实质上相等。

公开(公告)号：CN101548387B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880000863.1

申请日：2008-08-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  宇都宫和哉 ,  林将志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  Y10S438/931

Abstract: 提供一种碳化硅半导体元件及其制造方法，形成在碳化硅基板(11)上的栅电极(18)具有：硅下层(18A)以及由设置在硅下层(18A)上的第一金属与硅的化合物构成的硅化物上层(18B)。源电极(1as)含有与第一金属硅化物不同的第二金属硅化物，所述源电极(1as)与形成在碳化硅基板(11)表面上的n型源极区域及p+区域接触。硅下层(18A)的侧面由绝缘物覆盖。

公开(公告)号：CN101578705A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001207.3

申请日：2008-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  宇都宫和哉 ,  楠本修

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明的半导体装置包括：具有碳化硅半导体层的碳化硅半导体基板；设置在前述碳化硅半导体层中、并含有p型杂质的p型杂质区；与前述p型杂质区电连接的p型欧姆电极；与前述p型杂质区邻接地设置在前述碳化硅半导体层中、且含有n型杂质的n型杂质区；和与前述n型杂质区电连接的n型欧姆电极，前述p型欧姆电极含有镍、铝、硅和碳的合金，前述n型欧姆电极含有钛、硅和碳的合金。

公开(公告)号：CN101548387A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000863.1

申请日：2008-08-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  宇都宫和哉 ,  林将志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  Y10S438/931

Abstract: 提供一种碳化硅半导体元件及其制造方法，形成在碳化硅基板(11)上的栅电极(18)具有：硅下层(18A)以及由设置在硅下层(18A)上的第一金属与硅的化合物构成的硅化物上层(18B)。源电极(1as)含有与第一金属硅化物不同的第二金属硅化物，所述源电极(1as)与形成在碳化硅基板(11)表面上的n型源极区域及p+区域接触。硅下层(18A)的侧面由绝缘物覆盖。

公开(公告)号：CN101542740A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000617.6

申请日：2008-02-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  桥本伸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：具有碳化硅层(2)的碳化硅半导体衬底(1)、设置于碳化硅层(2)的高浓度杂质区域(4)、与高浓度杂质区域(4)电连接的欧姆电极(9)、与高浓度杂质区域电连接的沟道区域、设置于沟道区域上的栅极绝缘层(14)、设置于栅极绝缘层(14)上的栅电极(7)，欧姆电极(9)包含钛、硅及碳的合金，栅电极(7)包含钛硅化物。

公开(公告)号：CN102782804B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201180011729.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  林将志

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的半导体芯片(18)是形成有功率半导体装置(10)，且具备由六方晶系半导体构成的半导体基板的半导体芯片(18)，半导体基板在主面上具有矩形形状，对矩形进行规定的2边的长度a以及b相等，并且，半导体基板的与2边平行的方向上的线膨胀系数彼此相等。

公开(公告)号：CN103141026B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280000915.1

申请日：2012-04-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  小川正则

IPC: H03K17/16 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H03K17/12 ,  H03K17/695

CPC classification number: H03K17/063 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H03K17/12 ,  H03K17/164 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、电力转换器及电力转换器的控制方法。本申请公开的半导体装置具备半导体元件(200)和控制半导体元件的动作的控制部，其中该半导体元件(200)具备第1金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(200a)、和与第1金属-绝缘体-半导体场效应晶体管并联连接的第2金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(200b)，控制部构成为：在正向模式下，按照电流在正向上流过第1及第2金属-绝缘体-半导体场效应晶体管的方式控制半导体元件；在反向模式下，按照电流在反向上流过第1金属-绝缘体-半导体场效应晶体管、且不使电流流过第2金属-绝缘体-半导体场效应晶体管的方式控制半导体元件。

公开(公告)号：CN102217070B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201080003201.7

申请日：2010-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  桥本浩一 ,  安达和广

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体元件区域(17)和保护环区域(18)，其中半导体元件区域(17)配置于碳化硅层(3)的一部分，保护环区域(18)配置于从与碳化硅层(3)的主面相垂直的方向看、在碳化硅层(3)中包围半导体元件区域(17)的区域，该半导体装置包含：在碳化硅层(3)的半导体元件区域(17)及保护环区域(18)的主面上形成的相对介电常数为20以上的层间绝缘膜10；保护环区域(18)中的层间绝缘膜(10)上形成的第1保护绝缘层(14)；第1保护绝缘层(14)上形成的第2保护绝缘层(15)，第1保护绝缘层(14)的线膨胀系数是在构成第2保护绝缘层(15)的材料的线膨胀系数和构成层间绝缘膜(10)的材料的线膨胀系数之间。

公开(公告)号：CN103141026A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201280000915.1

申请日：2012-04-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  小川正则

IPC: H03K17/16 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H03K17/12 ,  H03K17/695

CPC classification number: H03K17/063 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H03K17/12 ,  H03K17/164 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、电力转换器及电力转换器的控制方法。本申请公开的半导体装置具备半导体元件(200)和控制半导体元件的动作的控制部，其中该半导体元件(200)具备第1金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(200a)、和与第1金属-绝缘体-半导体场效应晶体管并联连接的第2金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(200b)，控制部构成为：在正向模式下，按照电流在正向上流过第1及第2金属-绝缘体-半导体场效应晶体管的方式控制半导体元件；在反向模式下，按照电流在反向上流过第1金属-绝缘体-半导体场效应晶体管、且不使电流流过第2金属-绝缘体-半导体场效应晶体管的方式控制半导体元件。

公开(公告)号：CN102084483B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200980100324.X

申请日：2009-07-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  林将志 ,  桥本浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 半导体元件具备：在基板上形成的包含碳化硅的半导体层(10)；形成在半导体层(10)表面上的第1导电类型半导体区域(15)；在半导体层表面(10s)上包围第1导电类型半导体区域(15)的第2导电类型半导体区域(14)；以及具有与第1导电类型半导体区域(15)和第2导电类型半导体区域(14)接触的导电面(19s)的导电体(19)，在半导体层表面(10s)上，第1导电类型半导体区域(15)具有沿着第1轴(i)延伸的至少一个第1带状部分(60、61)，第1导电类型半导体区域(15)的沿着第1轴(i)的宽度(C1)大于导电面(19s)的沿着第1轴(i)的宽度(A1)，导电面(19s)的轮廓横切至少一个第1带状部分(60、61)。