公开(公告)号：CN1269139C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN03122418.0

申请日：2003-04-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林光昭 ,  仲矢修治 ,  小岛诚

IPC: G11C17/18 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C7/22 ,  G11C8/08 ,  G11C17/12 ,  G11C2207/2281

Abstract: 提供一种半导体存储器，通过消除由存储单元的截止泄漏电流平稳地产生的位线的电流，可增加每根位线的存储单元数，实现存储单元阵列的大规模化，减小芯片面积。为此，设置源极线电位控制电路，具有“非”门根据选择字线的行选信号来选择性地设定源极线的电位为接地电位；源极电位控制电路将由行选信号变为非选择的存储单元上连接的源极线的电位设定为与由行选信号选择出的存储单元上连接的源极线的电位不同的电位，使得上述变为非选择的存储单元中包含的晶体管的截止泄漏电流减少。由此，缩小构成非选择的存储单元的晶体管的源极和连接之间的电位差，消除泄漏电流。

公开(公告)号：CN1519862A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310122583.7

申请日：2003-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 仲矢修治 ,  林光昭

IPC: G11C17/00 ,  G11C17/18 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C29/846 ,  G11C29/785

Abstract: 本发明提供将缺陷存储单元置换成地址存储电路及数据存储电路的情况下的数据读出时间与从存储单元阵列读出数据的情况下的数据读出时间相等的，芯片面积小的半导体装置。本发明的半导体装置具有：共用输出数据线，根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的多个读出专用存储装置和转换装置，所述转换装置具有：存储缺陷存储单元的存储装置选择信息及地址信息的地址存储电路；存储缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路；以及输入通过输出数据线输出的，读出专用存储装置的输出数据与数据存储电路的输出数据，根据地址存储电路存储的存储装置选择信息及地址信息，输出其中一方的转换电路。

公开(公告)号：CN1497609A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03159809.9

申请日：2003-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林光昭

IPC: G11C17/10 ,  G11C17/18

CPC classification number: H01L27/11253 ,  G11C7/12 ,  G11C17/12 ,  H01L27/112

Abstract: 鉴于晶体管的关断漏泄因微细化而增大，无需为保持位线的“H”电平所需的电荷补给用晶体管，既可高速读出位线为“L”电平的存储数据，从而提供可高速读出的半导体集成电路。为此，设置了高电位源布线和低电位源布线。然后，将存储单元的源有选择地连接到高电位源布线和低电位源布线中的某一源布线上。在读出时使位线电位保持在“H”电平的存储数据的情形下，存储单元的源被连接到高电位源布线上；在读出时使位线电位下降到“L”电平的存储数据的情形下，存储单元的源被连接到低电位源布线上。