公开(公告)号：CN101136535A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710141907.X

申请日：2007-08-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明公开一种使用氮化物半导体等六方晶体系的半导体材料且具有结构稳定的解理面的半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括衬底(11)及形成在该衬底上的半导体层层叠体(12)的一部分被切割而成的、具有与导波部(23a)相交叉方向上的两个芯片端面(13)和与该导波部平行方向上的两个芯片侧面(14)的芯片。在这两个芯片端面中的至少一个的解理面(13a)的两侧区域中芯片的一部分被切掉，分别形成有露出与该芯片端面接触的第一壁面(31a)及与该芯片侧面接触的第二壁面(31b)的缺口部(31)，这两个缺口部中的至少一个的上述第一壁面延伸的方向、与上述解理面延伸的方向所成的角度θ在10度以上且40度以下。

公开(公告)号：CN1812214A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005190.1

申请日：2006-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明的目的在于，在采用氮化物半导体层的激光元件中，提供一种具有更高输出或长寿命特性的半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件包括谐振器，谐振器具有：n型GaN或n型AlGaN构成的第1覆盖层(103)；AlGaInN多重量子阱构成、形成于第1覆盖层(103)上的活性层(105)；形成于活性层(105)上、且由p型或掺杂的GaN或AlGaN构成的第2覆盖层(106)；以及形成于第2覆盖层(106)上、且由p型GaN或p型AlGaN构成的第3覆盖层(107)；谐振器在谐振器端部有离子注入部(104)。

公开(公告)号：CN1638055A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104567.X

申请日：2004-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  田村聪之 ,  上田哲三

IPC: H01L21/302 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/30635 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，包括：在母基板(11)上形成氮化物半导体层(13)工序；在氮化物半导体层(13)上面的一部分形成、顺次为干式蚀刻掩膜层(14a)、电子释放层(14b)的导电性膜(14)工序；对氮化物半导体层(13)进行干式蚀刻工序；经导电性膜(14)使从氮化物半导体层(13)向外部释放电子，对氮化物半导体层(13)进行湿式蚀刻工序。根据本发明的制造方法，即便进行干式蚀刻也不形成损伤层。