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公开(公告)号：CN1286228C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN03801328.2
申请日：2003-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型InP基板(1)；以及条纹结构(10)，条纹结构(10)包含在该n型InP基板(1)上条纹状形成的n型InP下部覆盖层、相对于所述n型InP基板(1)而具有平行方向的谐振器的有源层、和p型InP上部覆盖层(5)。这种条纹结构(10)有凹部(9)排列为矩形点阵状的光子晶体结构(2)，光子晶体结构(2)的凹部(9)的排列方向和谐振器方向相同。此外，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极(6)形成在条纹结构(10)上。这样构成的本发明的半导体发光元件相对n型InP基板(1)在垂直的方向上发光。
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公开(公告)号：CN1706047A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001374.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/2003 , H01L29/7376
Abstract: 本发明的弹道半导体元件备有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
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公开(公告)号：CN1650436A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809646.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/7785
Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（101）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（103），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层（104）；在沟道层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第二阻挡层（105）；和在第二阻挡层上设置的源极电极（107）、栅极电极（109）以及漏极电极（108），第一阻挡层具有n型扩散层（103a），第二阻挡层具有p型扩散层（105a），沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层（106）在第二阻挡层上形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101681912A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015311.8
申请日：2008-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1633 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/943
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具备可利用简单且容易的工序实现的电流路径并能够微细化的电阻变化型非易失性存储元件。本发明的电阻变化型非易失性存储元件的特征在于，包括：第一电极(203)；在上述第一电极(203)上形成于且电阻根据施加电压而变化的氧化物半导体层(204a)；配置于上述氧化物半导体层(204a)上的、直径为2nm以上且10nm以下的金属纳米粒子(204b)；在上述氧化物半导体层(204a)上和上述金属纳米粒子(204b)上形成的隧道阻挡层(204c)；和在上述隧道阻挡层(204c)上形成的第二电极(206)，上述金属纳米粒子(204b)和上述氧化物半导体层(204a)接触。
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公开(公告)号：CN100350577C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200380100681.9
申请日：2003-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式GaxIn1-xNyA1-y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。
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公开(公告)号：CN1259727C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN01819415.X
申请日：2001-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H04M1/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/2003 , H01L29/7785 , H03F3/601 , H03F2200/294
Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。
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公开(公告)号：CN1237369C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03800880.7
申请日：2003-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/015
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/015 , G02F1/017 , G02F2202/32 , G02F2203/02 , G02F2203/10
Abstract: 本发明的调制器包括：第一导电型的第一半导体层(33)；与第一半导体层连接的第二导电型的第二半导体层(31)；第二导电型的第三半导体层(46)；在第二半导体层和第三半导体层之间形成的电介质层(111)；在电介质层中的具有多个导体片的天线电极(32)，该多个导体片整体形成网状，并在该网状的交点配置成相互分离且与第二半导体层和第三半导体层两者成接触状态；电连接所述第一半导体层的第一电极(8)；和电连接第三半导体层的第二电极(7)。
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公开(公告)号：CN1602569A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03801328.2
申请日：2003-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型InP基板(1)；以及条纹结构(10)，条纹结构(10)包含在该n型InP基板(1)上条纹状形成的n型InP下部覆盖层(3)、相对于所述n型InP基板(1)而具有平行方向的谐振器的有源层(4)、和p型InP上部覆盖层(5)。这种条纹结构(10)有凹部(9)排列为矩形点阵状的光子晶体结构(2)，光子晶体结构(2)的凹部(9)的排列方向和谐振器方向相同。此外，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极(6)形成在条纹结构(10)上。这样构成的本发明的半导体发光元件相对n型InP基板(1)在垂直的方向上发光。
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