公开(公告)号：CN101013889A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710007969.1

申请日：2007-02-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔

IPC: H03K19/00 ,  H03K19/0948 ,  H01L21/00

CPC classification number: H03K19/0016

Abstract: 具有截止时的漏电流和导通电阻在实用上都充分小的功率控制用MOS晶体管的半导体集成电路装置及电子装置，该功率控制功能由截止时的漏电流和导通电阻、与在实用上充分的小的功率控制用MOS晶体管一同构成。半导体集成电路装置(300)包括：CMOS逻辑电路(110)、被连接到CMOS逻辑电路(110)的低电位端电源管脚部的第二虚拟电源线VSS1、以及被连接到第二虚拟电源线VSS1和低电位端电源线VSS之间的功率控制用NchMOS晶体管(NT2)，功率控制用NchMOS晶体管(NT2)的衬底和栅极进行电连接。栅极和衬底例如通过利用了耗尽型的NchMOS晶体管构成的源极跟随器的限流器(330)而连接就可以。

公开(公告)号：CN1956308B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200610137500.5

申请日：2006-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔

IPC: H02M3/155 ,  H03K19/00 ,  H03L7/06

CPC classification number: H02M3/157

Abstract: 能够根据系统时钟频率自由地设定时钟周期设定裕量，对于系统时钟频率的变化，能够在短时间内使电源电压会聚为正常动作的最小电源电压而不使内部电路误动作的电源电压控制装置。电源电压控制装置(100)包括对系统时钟以分频比1分频的分频电路(121)、对电压控制振荡电路(110)的输出以分频比2分频的分频电路(122)、对分频电路121和分频电路122的各自的输出信号进行相位比较/频率比较的相位比较器/频率比较器(130)以及控制器(145)内的存储器(142)，根据与系统时钟频率联动的动作模式信号，由控制电路(141)设定各个分频电路(121、122)的分频比。在系统时钟频率变化时，使用控制器(145)内的预置值进行可逆计数器(143)的初始设定和寄存器设定。

公开(公告)号：CN101150313B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200710152850.3

申请日：2007-09-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔

IPC: H03K19/02 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/173 ,  H03K17/22

CPC classification number: G06F1/3203 ,  G06F1/3275 ,  Y02D10/14

Abstract: 提供一种利用了ZSCCMOS电路的半导体集成电路装置，具有组合电路(10)，该组合电路(10)包括多个逻辑门电路(11～14)，接收数据保持电路(21、22)的输出。数据保持电路(21、22)在电源切断时能够继续数据的保持，且在作为控制信号NS被赋予了固定值时，输出规定的固定值。在数据保持电路(21、22)的输出为规定的固定值时，输出“L”的逻辑门电路(11、13)其电源端与模拟电源线VDDV和低电位电源线VSS连接，输出“H”的逻辑门电路(12、14)其电源端与高电位电源线VDD和模拟电源线VSSV连接。由此，当电源切断时，组合电路的各逻辑门电路的输出成为期望的状态，且在电源恢复时，组合电路可靠地返回到电源切断前的状态。

公开(公告)号：CN1948974B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200610136112.5

申请日：2006-10-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔

IPC: G01R19/165 ,  G05F3/16

CPC classification number: H03K19/00384

Abstract: 具有任意设定的漏电流检测倍率不取决于电源电压、温度或制造偏差，且易于检测漏电流的漏电流检测电路的半导体集成电路装置以及电子装置。半导体集成电路装置(100)从两个NchMIS晶体管的中间取出稳定的电位Vg2，将以该电位作为栅极电位的NchMOS晶体管Tn5的漏极电流使用电流镜电路(112)放大至任意倍率的电流值，并使该电流值流过其栅极与漏极连接的NchMOS晶体管Tn2，将该NchMOS晶体管Tn2的漏极电位Vg1施加到漏电流检测NchMOS晶体管Tn1的栅极。

公开(公告)号：CN101166028A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710162852.0

申请日：2007-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉本丰 ,  伊藤稔

IPC: H03K19/0948 ,  H01L21/822 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5068 ,  H03K19/0016

Abstract: 本发明涉及一种半导体集成电路的设计方法、装置以及电子装置，能够以如下的简易方法设计ZSCCMOS结构的半导体集成电路。对于各种基本逻辑门，准备逻辑门单元H和版图单元H以及逻辑门单元L和版图单元L，所述逻辑门单元H和版图单元H中，高电位侧电源端与VDD连接，低电位侧电源端与虚拟电源线VSSV连接，所述逻辑门单元L和版图单元L中，高电位侧电源端与虚拟电源线VDDV连接，低电位侧电源端与VSS连接(S11)；使用网表(100)，并假设处于电源即将断开之前的状态来进行逻辑仿真(S12)；对输出状态为“H”的基本逻辑门使用逻辑门单元H，对输出状态为“L”的基本逻辑门使用逻辑门单元L，来变更网表(100)(S13)；使用版图单元H、L生成版图(S14)。

公开(公告)号：CN100334808C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200410001380.7

申请日：2004-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/06

CPC classification number: H03M1/1019 ,  H03M1/66

Abstract: 在用于测量数模转换器的直流偏移的比较器的前级通过一个输入改变开关，并且在后级通过一个选择性极性反转电路。第一补偿值由补偿值产生部件产生，然后被存储在寄存器中。然后，第二补偿值通过转换输入改变开关和极性反转电路被产生，并且被存储在寄存器中。然后通过由补偿值计算电路平均第一补偿值和第二补偿值来计算第三补偿值。然后，使用这个补偿值来补偿数模转换器的直流偏移。因此，它使能通过取消在数模转换器的直流偏移补偿中使用的比较器本身中包括的直流偏移来实现直流偏移的精确直流偏移补偿。

公开(公告)号：CN1825602A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610008583.8

申请日：2006-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明目的在于提供一种半导体装置，包括一个具有以SOI结构绝缘分离的绝缘分离层4的NchMOS晶体管(1)和一个用绝缘膜形成的电容器，减小硅衬底(B)的厚度来减小衬底电容量。NchMOS晶体管(1)具有绝缘分离区域(5a、5b)以使其成为完全耗尽型或近似的部分耗尽型。与NchMOS晶体管(1)的栅极G连接的电极(6)和杂质扩散层(7)，通过电容器(2)相连接。源极(S)与电源端子(3a)连接，栅极(G)与内部信号线(S1)连接，漏极(D)与内部信号线(S2)连接。NchMOS晶体管(1)在导通/截止时，通过电容器耦合来控制衬底偏置电压。

公开(公告)号：CN102354249A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110180489.1

申请日：2006-10-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔

IPC: G05F3/16 ,  G01R19/165

CPC classification number: H03K19/00384

Abstract: 具有任意设定的漏电流检测倍率不取决于电源电压、温度或制造偏差，且易于检测漏电流的漏电流检测电路的半导体集成电路装置以及电子装置。半导体集成电路装置(100)从两个NchMIS晶体管的中间取出稳定的电位Vg2，将以该电位作为栅极电位的NchMOS晶体管Tn5的漏极电流使用电流镜电路(112)放大至任意倍率的电流值，并使该电流值流过其栅极与漏极连接的NchMOS晶体管Tn2，将该NchMOS晶体管Tn2的漏极电位Vg1施加到漏电流检测NchMOS晶体管Tn1的栅极。

公开(公告)号：CN102315772A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110274544.3

申请日：2006-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/157

Abstract: 本发明的电源电压控制装置能够根据系统时钟频率任意地设定时钟周期设定裕量，对于多个系统时钟频率的切换，在短时间内使电源电压会聚为正常动作的最小电源电压而不使内部电路误动作。该电源电压控制装置包括：电压控制振荡单元、比较单元、电源电压生成单元、第二预置值存储单元、控制单元、以及数字/模拟转换器，所述控制单元在系统时钟频率从高频率切换到低频率之后，读出被存储在所述第二预置值存储单元中与所述低频率对应的第二预置值，将该第二预置值作为电源电压预置值输出。

公开(公告)号：CN100376899C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200410063396.0

申请日：2004-07-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01R31/002 ,  G01R31/318577

Abstract: 一种能够以高精度和低成本进行半导体集成电路测试的静电耐压测试方法。在这一方法中，在将半导体集成电路(100)的接地管脚VSS和VSSI之一接地的状态下，将静电从静电放电装置(102)施加到半导体集成电路(100)的所有管脚，在此之后，在将电源装置(106)连接到半导体集成电路(100)的电源管脚VDD，并将另一方接地的状态下，将漏电电流测试装置(116)连接于所有信号管脚，并测试管脚漏电电流，而且在将半导体集成电路(100)的内部电路的接地管脚VSSI接地和将漏电电流测试装置(104)连接到电源管脚VDDI的状态下，将提供数字信号的图形生成器(105)连接到信号输入管脚(IN，I/O)，并测试电源漏电电流。