-
公开(公告)号:CN109306465A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201811365374.8
申请日:2017-01-25
Applicant: 杭州电子科技大学信息工程学院
Abstract: 本发明公开了一种对Cu3N薄膜进行定量掺杂的实现方法。本发明的真空腔内设置有样品台、加热丝、衬底、靶,样品台设置在真空腔内底部,样品台上表面设置有加热丝,加热丝上设置有衬底;靶设置在真空腔内顶部;靶上方设置有磁铁,磁铁上方设置有冷却水系统,冷却水系统用于冷却磁铁;匹配箱的一端与冷却水系统相连接,另一端与射频源相连接;气瓶通过气管与真空腔相连接,气管上设置有流量控制器、粗真空规和通气阀;机械泵与分子泵的一端相连接,分子泵的另一端通过法兰与真空腔相连接;真空腔的外壁上设置有冷阴极规。本发明能够实时观测憋气时气管的气压,能控制启辉气压,对分子泵损伤小节约成本,可实现对难起辉氮气等气体的起辉。
-
公开(公告)号:CN108588645A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201810481929.9
申请日:2018-05-18
Applicant: 杭州电子科技大学信息工程学院
Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底的制备方法。本发明包括首先清洗用于沉积样品的Si衬底,然后将衬底放置在样品架上,样品架与靶表面平行并且相距55mm。当真空腔内本底气压低于6×10-6mbar时,通入流速为40sccm的混合气体,从而溅射铜靶;溅射镀膜后,将Cu3N薄膜样品取出并放入SEM样品室,抽真空,选择电子束曝光模式,调节电子束聚焦,使电子束束斑控制在1微米左右,对Cu3N薄膜选定区域进行电子束曝光。最后启用SEM扫描模式,对曝光区进行SEM成像,观测曝光后形貌。本发明制备的基底具有表面增强拉曼散射的效应,且具有纳米级的粗糙表面,为产生“热点”提供了一种新的可能性。
-
公开(公告)号:CN108411271A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810480114.9
申请日:2018-05-18
Applicant: 杭州电子科技大学信息工程学院
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔纳米铜结构的方法。本发明首先清洗沉积样品的Si衬底,然后将衬底放置在样品架上,样品架与靶表面平行并且相距55mm。当真空腔内本底气压低于6×10-6mbar时,通入混合气体,从而溅射铜靶;溅射镀膜后,将Cu3N薄膜样品取出并放入SEM样品室,抽真空,选择电子束曝光模式,调节电子束聚焦,使电子束束斑控制在1微米左右,对Cu3N薄膜选定区域进行电子束曝光。最后启用SEM扫描模式,对曝光区进行SEM成像,根据SEM扫描图像结果,调节曝光参数,直到出现预期多孔纳米铜结构为止。本发明能有效地形成预期纳米多孔铜结构,纳米多孔铜结构具有纳米级的粗糙表面,具有产生“热点”的可能性。
-
-
-