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公开(公告)号：CN105826369A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610297662.9
申请日：2016-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种新型增强型III?V异质结场效应晶体管，在衬底材料层上形成第二半导体层，在第二半导体层上构造出漏电极和源电极，漏电极和源电极之间通过第一半导体层相连且与第一半导体层欧姆接触从而形成沟道；第一半导体层比第二半导体层具有更大的禁带宽度；第二半导体层和第一半导体层结合在一起构成异质结构；第一半导体层的厚度不大于在异质结构上形成二维电子气2DEG的临界厚度，使异质结构中天然的二维电子气2DEG被耗尽。相对于现有技术，本发明提供的新型增强型III?V异质结场效应晶体管，利用薄势垒层方案获得耗尽的沟道，采用高栅电压重新诱导出2DEG，从而实现性能稳定的增强型器件。
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公开(公告)号：CN111010092B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201911160328.9
申请日：2019-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明涉及一种新型Doherty功率放大器。本发明输入信号经所述的功率分配器分成两路后，一路信号直接输入给主功率放大器支路，另外一路先经过第二相位延迟线后再输入给辅功率放大器支路。主功率放大器支路的输出信号经过第一相位延迟线后进入补偿相位及合路网络，辅功率放大器支路的输出信号直接进入补偿相位及合路网络，两路信号通过补偿相位及合路网络后输出。本发明通过补偿传统Doherty功率放大器主辅支路存在相位差，减小了高功率阶段主功放支路功率的泄露以及避免了低功率阶段主功放负载阻抗的减小，提高了Doherty功放的输出功率和效率。
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公开(公告)号：CN109889162B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910062286.9
申请日：2019-01-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种自输入控制的负载调制类功率放大器及其实现方法，本发明第三正交耦合器将输入信号均分为两路。第一正交耦合器将一路输出信号通过功率放大电路转化成两路正交信号输出，两路功率放大电路输出的信号再接入第二正交耦合器的输入端后输出给负载。在第二正交耦合器的隔离端接入所需的控制信号进行负载调制的目的。控制信号通过将另一路输出信号进行相位调整和功率放大来实现。本发明通过使用正交耦合器引入控制信号来实现的负载调制类功率放大器，并且该控制信号由输入信号通过控制信号产生电路根据需求产生所需的幅度和相位的控制信号，增大了负载调制类功率放大器的工作带宽，提高了负载调制类功放功率回退范围内的效率。
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公开(公告)号：CN106374863B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610888767.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种提高功率回退动态范围的Doherty功率放大器及其实现方法，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和新型负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与峰值功率放大电路的输出端相连接将功率合路输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络，增大低输入功率状态下主功放的负载阻抗，提高了Doherty功放的高效率功率回退范围。
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公开(公告)号：CN104733522B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510160791.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h‑BN移除层；然后在h‑BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h‑BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上。本发明通过h‑BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876467A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710087137.9
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MISFET(金属‑绝缘介质半导体场效应管)器件及其制备方法。所述MISFET器件包括源极、漏极、栅极以及MIS结构，所述MIS结构的轴线基本垂直于一选定平面，所述MIS结构包括半导体结构和环绕半导体结构设置的绝缘介质，且在所述半导体结构和绝缘介质的界面处形成有沟道，所述源极与漏极经所述沟道电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的MISFET器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
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公开(公告)号：CN104966741A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510398197.3
申请日：2015-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/66219
Abstract: 本发明公开了一种基于极化掺杂效应的太赫兹二极管及其工艺实现方法，装置部分包括阴极电极、渐变AlxGa1-xN极化掺杂层、有源区、阳极区和阳极电极；所述的阳极区上外延生长有源区，有源区外延生长渐变AlxGa1-xN极化掺杂层；阳极区的外侧设有阳极，渐变AlxGa1-xN极化掺杂层的外侧设有阴极。本发明中的高电子浓度材料，易于形成电子隧穿，获得良好的欧姆接触，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN111740703B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010451995.9
申请日：2020-05-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明公开了伪Doherty式自输入控制的负载调制平衡类功率放大器及其实现方法，包括两个正交耦合器、两个功率放大电路、控制信号电路、功分器、相位延迟线和隔离电阻，其中，控制信号电路通过将功分器输出的信号进行功率放大来实现所需的控制信号。同时，将平衡类功放设置成峰值功放，控制信号电路设置成载波功放，来构成类似于Doherty的结构特征。对于现有技术，本发明通过使用正交耦合器引入自输入的控制信号来实现的负载调制类功率放大器，增大了负载调制类功率放大器的工作带宽，并且将平衡类功放当作峰值功放，控制信号电路当作载波功放，来构成类似于Doherty的结构特征，提高了负载调制类功放功率回退范围和此范围内的效率。
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公开(公告)号：CN109831163A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910062264.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种增强带宽的可重构负载调制类功率放大器的实现方法。本发明包括两个正交耦合器、两个功率放大电路，第一正交耦合器用于将输入信号转化成两路正交信号输出。隔离电阻接在正交耦合器的隔离端使输入输出信号达到良好的隔离。经第一正交耦合器输出的信号通过两路功率放大电路进行功率放大。两路功率放大电路输出的信号再接入第二正交耦合器的输入端，随后输出给负载。在第二正交耦合器的控制端接入所需的控制信号进行可重构负载调制。本发明通过使用正交耦合器外加控制信号来实现可重构的负载调制类功率放大器，增大了负载调制类功率放大器的工作带宽，提高了负载调制类功放的高效率功率回退范围。
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公开(公告)号：CN105897194B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610309332.7
申请日：2016-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种连续EF类高效率宽带功率放大器及其实现方法，包括基波输入匹配网络、E类功率放大器、连续型谐波控制网络以及基波输出匹配网络，其中，基波输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端接E类功率放大器的输入端；E类功率放大器的输出端与连续型谐波控制网络的输入端相连接，连续型谐波控制网络的输出端与基波输出匹配网络的输入端相连接，基波输出匹配网络的输出端作为功率输出。相对于现有技术，本发明在对“连续类思想”进行深入研究的基础上，提出新型基波输出匹配网络和连续型谐波控制网络，能够极大抑制负载阻抗随工作频率的漂移，在保持功放高效率的情况下拓展带宽，极大提升了放大器的整体带宽。
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