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公开(公告)号：CN119296948B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411804798.5
申请日：2024-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学 , 淄博齐林电力工程有限公司
Abstract: 本发明公开一种同步降低FeSiAl磁粉芯磁滞损耗和涡流损耗的方法，包括以下步骤：配制金属M的盐类溶液，所述金属M为原子半径与Al原子不相等的低熔点金属，且与Al能形成置换固溶体；将盐类溶液加入到FeSiAl磁粉芯中，烘干后得到绝缘包覆好的磁粉芯，然后加入粘结剂和润滑剂，制成待成型磁粉；将待成型磁粉压制成型，热处理后获得磁粉芯。本发明通过低熔点M原子向FeSiAl基体内扩散并占据Al空位，在退火过程中可以减轻晶格畸变，从而降低矫顽力和磁滞损耗；更重要的是，M原子掺入FeSiAl后基体电阻率升高，可以有效抑制颗粒内涡流损耗，同时，原位氧化生成的Al2O3包覆层可以有效隔离颗粒间涡流损耗，因此，本发明方法实现了同步降低磁滞损耗和涡流损耗。
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公开(公告)号：CN114561644B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210170612.X
申请日：2022-02-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种网状结构的非晶纳米晶合金及其制备方法、应用，其制备方法，包括以下步骤：(1)将厚度小于50μm的非晶合金样品固定在离子减薄仪的支架上；(2)调整离子减薄仪的左、右离子枪的角度，在第一目标电压下对样品进行预处理第一目标时长；(3)减小左、右离子枪角度，降低施加电压至第二目标电压，在第二目标电压下对经过步骤(2)处理得到的样品进行处理第二目标时长，得到具有网状结构的非晶纳米晶合金。本发明采用离子减薄仪设备摆脱了高温对非晶合金样品的影响，可以有效解决非晶合金退火脆性对工业化应用的限制；其次，本发明制得的非晶纳米晶合金的纳米晶均匀分散在非晶骨架中，可得到更高的饱和磁感应强度和磁导率。
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公开(公告)号：CN103230994A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310144542.1
申请日：2013-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B21H7/18
Abstract: 本发明公开一种轴上微型槽的步进滚动辊压压印成形装置及方法。现有槽成形方法成形精度低、成本高、加工效率低。该装置包括两个结构相同的轧辊装置；轧辊装置包括轧辊轴和环形轧辊，环形轧辊的两端分别设有滚子轴承，滚子轴承通过轴承座固定在机架，机架与机械手连接；轧辊轴一端设有压盖，另一端固定设有机械臂的一个齿轮。该方法是电机的正反转驱动机械臂拉动机架，使得机架进行直线往复运动，同时机械臂的齿轮组带动环形轧辊旋转，实现环形轧辊在工件轴轴向直线往复运动和环形轧辊自身旋转，使环形轧辊在工件轴上进行微型槽压印成形、整形过程。本发明工作载荷小，成形效率大幅提高，加工成本大幅下降，且渐进成形的模具设计使成形质量高。
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公开(公告)号：CN114561644A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210170612.X
申请日：2022-02-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种网状结构的非晶纳米晶合金及其制备方法、应用，其制备方法，包括以下步骤：(1)将厚度小于50μm的非晶合金样品固定在离子减薄仪的支架上；(2)调整离子减薄仪的左、右离子枪的角度，在第一目标电压下对样品进行预处理第一目标时长；(3)减小左、右离子枪角度，降低施加电压至第二目标电压，在第二目标电压下对经过步骤(2)处理得到的样品进行处理第二目标时长，得到具有网状结构的非晶纳米晶合金。本发明采用离子减薄仪设备摆脱了高温对非晶合金样品的影响，可以有效解决非晶合金退火脆性对工业化应用的限制；其次，本发明制得的非晶纳米晶合金的纳米晶均匀分散在非晶骨架中，可得到更高的饱和磁感应强度和磁导率。
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公开(公告)号：CN113380486A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110553414.7
申请日：2021-05-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及软磁材料技术领域，尤其涉及一种FeCo基纳米晶软磁合金材料及其制备方法，所述FeCo基纳米晶软磁合金材料的化学结构通式为FeaCobBcSid，a=66，b=20，6≤c≤12，2≤d≤8，其中，a、b、c、d为原子百分比，且满足a+b+c+d=100。本发明通过对合金元素的选择，铁的含量达到66%，Co的含量控制在20%左右，钴含量的降低后合金依然具有很好的软磁性能，同时Co含量的降低提高了合金的热稳定性；本发明所得到的合金条带不仅拥有着优异软磁性能，而且有着高的居里温度，便于后续的应用。而且容易实现产业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108468075A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810259342.3
申请日：2018-03-27
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: C25D11/026 , C25D11/06 , C25D11/26 , C25D11/30
Abstract: 本发明公开一种微弧氧化自润滑复合陶瓷涂层的电解液及其应用方法。本发明电解液包括常用微弧氧化电解液、纳米添加剂、微米级MoS2粉体。其应用方法，基底是常见的有色金属及其合金，具体是：在常用微弧氧化电解液中加入纳米添加剂、微米级MoS2粉体，采用恒流模式制备，电流密度为3-15A/dm2，微弧氧化时间为30-60分钟即可。本发明通过在电解液中加入具有自润滑功能的微米级MoS2粉体材料，一方面，微米级颗粒大小与微弧氧化制备的涂层的微孔尺寸相匹配，有利于充分发挥MoS2粉体材料的润滑效果；另一方面，这些微孔可以储存MoS2，从而进一步改善复合陶瓷涂层的摩擦磨损性能。
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公开(公告)号：CN105862061A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610210586.3
申请日：2016-04-05
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02E70/10 , Y02P20/135 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/04 , C25B11/0452
Abstract: 本发明公开一种全绿色光电化学电池水解制氢的反应装置。该装置包括水轮发电机、光电化学水解装置、外电路，其中水轮发电机的正极连接工作电极,负极连接到对电极上；水轮发电机是将水流动能转换为电能，产生外加电场,主要由水轮机和螺旋桨组成；光电化学水解装置中工作电极是采用磁控溅射法制备的ZnO薄膜封装后构成，或者是采用原子层沉积制备的TiO2薄膜，厚度60nm，300℃下ALD生长的多晶。本发明成功实现了完全依靠绿色可再生的清洁能源进行能量转化的光电化学电池。本发明采用的水轮发电机通过将机械能转化为电能，再连接到光阳极材料上去，在无需外加偏压的情况下即可高效地分解水产生氢气，从而节约了能耗。
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公开(公告)号：CN105244362A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510687944.5
申请日：2015-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法。本发明低功耗柔性ReRAM从上至下依次包括TE层、ZnO层、ITO/PET层，其中TE层为功函数大于ZnO功函数的Pt、Cu或Au。该方法是ITO/PET柔性衬底作为下电极，通过溅射法制备ZnO薄膜，得到ZnO/ITO/PET；将ZnO/ITO/PET基体放于沉积室内，用掩模法通过电子束蒸发金属上电极，使得ZnO薄膜上沉积金属薄膜电极，最终得到柔性TE/ZnO/ITO/PET器件。本发明通过ZnO薄膜本身的压电效应来调控其set和reset电压，以期减小器件的操作电压，降低器件的功耗，从而延长器件的寿命。
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公开(公告)号：CN103367083A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310288183.7
申请日：2013-07-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01J35/06
Abstract: 本发明公开了一种小束斑X射线设备。传统的灯丝电子枪阴极发射点源面积大，电子源尺寸也比较大。本发明在X射线密封套筒内装有场发射电子枪阴极装置，所场发射电子枪阴极装置包括连接闪光电源的场发射灯丝，场发射灯丝与场发射电源阳极之间连接场发射电源；场发射灯丝在场发射电源产生的强电场下发射出电子束，电子束通过加速电源向加速电源阳极运动，加速后获得高能量，使其成为高能电子束，高能电子束照射到利用环状靶材冷却水装置冷却的靶上，产生X射线；产生的X射线通过铍窗射出X射线密封套筒。本发明使用场发射阴极所产生的束斑尺寸很小的电子束来激发阳极靶材，使X射线的光斑效果能够达到近似点光源效果。
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公开(公告)号：CN102623636A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210096994.2
申请日：2012-04-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积氧化铋薄膜；最后在氧化铋薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。本发明可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。
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