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公开(公告)号：CN113004032B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110178545.1
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息功能材料与器件技术领域，针对现有储能陶瓷材料的击穿场强和有效储能密度较低的问题，公开了一种类线性高储能高效率无铅弛豫陶瓷及其制备方法，该陶瓷的化学组成为(1‑x)CaTiO3‑x(BNT‑BAT)，其中0.15≤x≤0.6。包括：一次配料、一次球磨、烘干、压片预烧、二次配料、二次球磨、烘干、造粒成型、压制成生坯及排胶烧结等步骤，本发明首次将CaTiO3加入到BNT‑BAT储能材料中，并且获得了3.45‑5.48 J/cm3的储能密度和90.2%‑99.6%的储能效率，达到高击穿场强的同时获得高储能密度高效率，拓展了掺杂改性的研究方向，发现了更高性能储能陶瓷材料的作用原理。
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公开(公告)号：CN113004032A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110178545.1
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息功能材料与器件技术领域，针对现有储能陶瓷材料的击穿场强和有效储能密度较低的问题，公开了一种类线性高储能高效率无铅弛豫陶瓷及其制备方法，该陶瓷的化学组成为(1‑x)CaTiO3‑x(BNT‑BAT)，其中0.15≤x≤0.6。包括：一次配料、一次球磨、烘干、压片预烧、二次配料、二次球磨、烘干、造粒成型、压制成生坯及排胶烧结等步骤，本发明首次将CaTiO3加入到BNT‑BAT储能材料中，并且获得了3.45‑5.48 J/cm3的储能密度和90.2%‑99.6%的储能效率，达到高击穿场强的同时获得高储能密度高效率，拓展了掺杂改性的研究方向，发现了更高性能储能陶瓷材料的作用原理。
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公开(公告)号：CN109295314B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811300235.7
申请日：2018-11-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 张怀伟
Abstract: 本发明公开了一种铜冶炼炉渣连续贫化的装置及方法。本发明的铜渣贫化流程分为两部分，第一部分为熔渣缓冲过程，第二部分为熔渣流动贫化过程。将从铜熔炼炉出来的高温熔融铜渣直接导入缓冲装置，经再次升温和加热，使其具有良好的流动性；再引入到槽式贫化装置中；通过调节电场强度、进料温度和熔渣停留时间控制熔渣中铜及其它有用金属的含量。本发明具有缩短贫化时间，提高贫化效率，降低能耗等优点。
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公开(公告)号：CN109655519A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910090379.2
申请日：2019-01-30
Applicant: 杭州电子科技大学 , 江苏省中国科学院植物研究所
IPC: G01N27/48
CPC classification number: G01N27/48
Abstract: 本发明属于植物鉴定技术领域，具体涉及一种雌雄异株植物的性别鉴定方法，包括如下步骤：(1)对已知性别的植物叶片样本进行检测，获取不同性别的植物叶片样本对应的电化学指纹标准谱图；(2)对待鉴定性别的植物叶片进行检测，获取检测结果；(3)将所述检测结果与电化学指纹标准谱图进行比对，获取待鉴定性别的植物的性别。本发明的雌雄异株植物性别的鉴定方法，根据同种植物雌雄株叶片中成分不同引起的电化学行为差异所表现出的谱图不同，从而判断植物雌雄株；本发明的鉴定方法简便易行，成本低廉，可随时随地进行鉴定，准确度高，能快速鉴定雌雄异株植物的性别。
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公开(公告)号：CN112875755B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202011604122.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钨酸铋纳米粉体的制备方法，其包括以下步骤：1)将硝酸铋溶于乙二醇中，形成硝酸铋溶液；2)将钨酸钠溶解于去离子水中，形成钨酸钠溶液；3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得钨酸钠溶液中，搅拌后转移到高压反应釜中；4)将配置有高压反应物料的反应釜密闭，进行热处理，后降至室温，过滤，依次用去离子水、无水乙醇清洗，烘干，得到钨酸铋纳米粉体。本发明工艺过程简单，易于控制，无环境污染，成本低，易于规模化生产。产品质量稳定，纯度高，粉体颗粒分散性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112919907B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110181382.2
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/465 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及功能材料与器件领域，针对现有储能陶瓷材料的击穿场强和有效储能密度较低的问题，公开了一种储能效率加强高储能无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷的化学组成为(1‑x)NaNbO3‑xCaTiO3，其中0.15≤x≤0.9。作为优选，所述x=0.15，0.2，0.25，0.3，0.35，0.4，0.5，0.6，0.7，0.8，0.9。首次将钙钛矿结构的CaTiO3引入到铌酸钠基陶瓷中进行掺杂改性，达到高击穿场强的同时获得高储能密度高效率，不但拓展了掺杂改性的研究方向，而且制备出了一种有应用前景的无铅储能陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN112678868B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011593060.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了Bi12O17Cl2/Bi2O2CO3复合纳米材料的制备方法：1)取硝酸铋溶于乙二醇中，调节硝酸铋溶液浓度为：0.1～0.2mol/L；2)取氯化铵溶解于去离子水中，调节氯化铵溶液浓度为：0.02～0.04mol/L；3)将所得硝酸铋溶液缓慢倒入氯化铵溶液中，搅拌后转移到高压反应釜中，用去离子水调节使体积占反应釜容积的2/3～4/5；4)将配置有反应物料的反应釜密闭，在120～140℃下保温8～24小时进行热处理；降至室温，移除上清液，加入盐酸、氢氧化钾调节pH，搅拌使得固体产物完全析出后，依次用去离子水、无水乙醇清洗，烘干，得到Bi12O17Cl2纳米粉体；5)将Bi12O17Cl2纳米粉体移入球磨罐，加入氧化锆球磨珠球、乙二醇使体积占反球磨罐容积2/3～3/4后进行球磨，将所得粉末依次用去离子水、无水乙醇清洗，烘干，得到Bi12O17Cl2/Bi2O2CO3复合纳米材料。
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公开(公告)号：CN114225944A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111648418.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J23/888 , C01B3/04 , C01C1/04
Abstract: 本发明提供一种富含氧空位的WO3纳米阵列光催化剂的制备方法及其应用，属于光催化剂技术领域，本发明包括以下步骤；（1）将钨酸盐、表面活性剂溶于水中，得到溶液1；（2）将过渡金属盐溶于水中进行分散，制溶液2；（3）将溶液2滴入溶液1中，制成溶液3；（4）向溶液3中添加酸性溶液，搅拌得到溶液4；（5）将溶液4进行水热反应；（6）真空干燥，得到有色产物；（7）将有色产物植入管式炉中，在特定气氛下进行加压焙烧，得到富含氧空位的WO3纳米阵列光催化剂。本发明可以自模板生成不同阵列形貌的氧化钨纳米材料，提高可见光选择性；通过氧空位、硫空位或氮空位增加材料的表面吸附能和光电子捕获能力，实现光催化材料的高度选择性。
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公开(公告)号：CN112850649A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011601059.8
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明铋氧溴纳米片的制备方法，包括：1)称取硝酸铋溶于乙二醇中，调节所形成的硝酸铋溶液浓度为：0.05～0.4mol/L；2)称取溴化铵溶解于去离子水中，调节所形成的溴化铵溶液浓度为：0.01～0.06mol/L；3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得的溴化铵溶液中，调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为2:1～3:1，搅拌后转移到高压反应釜中；4)将反应釜密闭，在100～160℃下进行热处理，后降至室温，倒出上清液，调节pH值，搅拌后转移到高压反应釜中；5)将反应釜密闭，在80～100℃下保温8～12小时进行热处理，后降至室温，过滤，依次用去离子水、无水乙醇清洗，60℃～80℃温度下烘干，得到铋氧溴纳米片。本发明工艺过程简单，易于控制，无环境污染，成本低，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN112846222A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011600757.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种花状Bi/Bi2WO6纳米材料的制备方法，包括以下步骤：1)称取硝酸铋溶于去离子水中，调节所形成的硝酸铋溶液浓度为：0.1～0.2mol/L；2)称取钨酸钠溶解于去离子水中，调节所形成的钨酸钠溶液浓度为：0.01～0.02mol/L；3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得钨酸钠溶液中，调节钨酸钠和硝酸铋的摩尔比为1:1～1:2，搅拌后转移到高压反应釜中，用去离子水调节使体积占高压反应釜容积的2/3～4/5；4)将配置有反应物料的高压反应釜密闭，在120～140℃下保温14～20小时进行热处理；后降至室温，过滤，用去离子水、无水乙醇清洗，60℃～80℃温度下烘干后，转移至铜管中；5)将铜管填充0.3～0.4mPa的氢气并封闭，并转移至管式炉中，在330℃～350℃下处理2～3小时后，降至室温，制得花状Bi/Bi2WO6纳米材料。
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