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公开(公告)号：CN107760923A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710776781.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 昆明贵金属研究所
CPC classification number: C22C14/00 , A61L27/06 , C22C1/0458
Abstract: 本发明公开了一种低弹性模量Ti-Ta-Ag生物材料及其制备方法。所述Ti-Ta-Ag生物材料合金成分为Ti含量70.5～74wt％，Ta含量25wt％，Ag含量1～4.5wt％。该合金的弹性模量在57～108GPa间，腐蚀电流密度在0.352～4.194μA/cm-2间。且合金由Ti的α相、马氏体α＂相、β相，及Ag组成，其中Ag作为析出相存在。通过采用球磨混合获得具有不同粒度的混合粉末以及具有低弹性模量的Ti-Ta-Ag合金。该钛合金弹性模量低、硬度高。为生物医用领域Ti合金体系的微观结构与力学性能关系的研究提供参考数据，也为生物金属材料的发展提供新思路。
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公开(公告)号：CN102703870A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210141181.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ru非磁性薄膜及其制备方法，包括基片1和钌非磁性薄膜层2。钌非磁性薄膜层2是由具有（002）晶面的X射线衍射峰强度比用式（1）表示为30%以上的Ru靶溅射得到，钌非磁性薄膜层2呈（002）晶面的择优取向生长，用式（1）表示的（002）晶面的X射线衍射峰强度比为60%~85%，…式（1），本发明用磁控溅射的方法制备出了(002)晶面择优取向生长、表面颗粒均匀，表面粗糙度小的Ru非磁性薄膜。以该薄膜为磁记录介质的中间层，有利于减小中间层与磁记录层的晶格失配度，降低界面间的应力，为磁记录层提供易于垂直生长的晶面取向，最终改善垂直磁记录介质的磁学性能。
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公开(公告)号：CN118326345A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410349567.3
申请日：2024-03-26
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种平面溅射靶材的绑定方法，该方法包括：首先对待绑定的绑定面进行表面处理，分别涂抹高分子胶粘剂，再依次将金属铜网和靶坯放置于背板上，将靶材组件压合后再进行加热以加快固化，最后对固化冷却后的靶材组件进行机加工，得到高分子胶粘绑定的平面溅射靶材组件。采用上述方法绑定的平面溅射靶材焊缝处均匀、无空洞，焊合率＞95％，导电性及散热性良好，焊接抗剪切强度≥15MPa，机加工边角料中高分子胶粘剂碎屑容易去除，旧靶材回收时对靶坯及背板不会造成破坏，特别对于贵金属溅射靶材，能够有效提高贵金属回收率、降低贵金属损耗。
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公开(公告)号：CN111519133B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010426865.X
申请日：2020-05-19
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有良好结合性抗氧化涂层的Ti材料，其特征在于所述Ti材料基材上覆盖有一层与基材具有良好结合性的抗氧化Ti‑Ru合金涂层，所述Ti‑Ru合金涂层中Ru之含量为5~40wt%，涂层厚度为1~20μm；所述的制备方法包括基材前处理、基材清洗、靶材清洗，涂层溅射成形工序，获得所需具有Ti‑Ru合金涂层的Ti材料。本发明具有Ti‑Ru合金涂层的Ti材料，在升温过程中，由于涂层抗氧化且未生成氧化物，因此具有良好的冶金结合和较小的界面应力，增强了Ti材料整体的抗氧化性能。本发明方法可广泛用于金属材料表面功能涂层的制备，以获得表层性能优异的金属材料。
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公开(公告)号：CN107723656B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710776679.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种含Au纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法，为工业纯Ti表面上含Au纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法。该方法主要包括工业纯Ti的再结晶退火、表面机械研磨处理、磁控共溅射、硝酸选择性溶解、热氧化。本发明通过具有良好润滑和韧性的Au纳米粒子和高硬度的TiO2的结合获得具有高韧性和高硬度的耐磨表层，同时通过设计并获得的梯度涂层有效改善涂层与金属基体之间界面应力、提高了涂层与基体的结合，从而使工业纯Ti的摩擦磨损性能得到明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107779814A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710776785.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种含Ag纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法，为Ti材料表面上含Ag纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法。该方法主要包括Ti材料的再结晶退火、表面机械研磨处理、磁控共溅射、热氧化。本发明通过具有良好润滑和韧性的Ag纳米粒子和高硬度的TiO2的结合获得具有高韧性和高硬度的耐磨表层，同时通过设计并获得的梯度涂层有效改善涂层与金属基体之间界面应力、提高了涂层与基体的结合，从而使Ti材料的摩擦磨损性能得到明显提高。
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公开(公告)号：CN104900891B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510229047.X
申请日：2015-05-07
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种铂网担载氧化铂电极材料及其制备方法，所述铂网担载氧化铂电极材料的结构包括基底铂网(1)和PtO2活性层(2)。所述基底铂网(1)铂网目数为60～80目，丝直径0.09mm～0.12mm，纯度≥99.9％；PtO2活性层(2)中PtO2颗粒的粒径范围在300nm～2000nm，PtO2活性层厚度在0.01mm～0.05mm之间，Pt含量≥80.00％。具体制备步骤如下：首先对基底铂网进行离子束溅射清洗；其次取亚微米的PtO2粉末和导电高分子有机载体，按比例混合、研磨制备得到PtO2浆料；再次采用丝网印刷的方法将PtO2浆料附着于铂网上；最后对担载PtO2浆料的铂网进行热处理。本发明通的方法不仅简便、易操作，而且能保证PtO2电极具备催化活性高、耐蚀性强、寿命长等优点，为原电池催化剂改性方法及电极制备技术提供新的方向，推进原电池的商业化进程。
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公开(公告)号：CN106467960A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610873939.8
申请日：2016-09-30
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/1208 , B22F3/14 , B22F2003/145 , B22F2999/00 , C23C14/35 , B22F2202/05
Abstract: 一种强磁场热压制备金属靶材的装置及方法，属于粉末冶金技术领域。其制备装置，包括压头、模具、上下移动压杆、超导磁体、加热器、冷却水管道和支座；采用上述装置，制备方法包括如下步骤：(1)备料：称量金属粉；(2)装填；(3)磁场热压：磁场强度为0.5～6T；温度为200～1600℃，压力为10～80MPa，热压20～200min，空冷至室温，制得金属靶材；(4)机械加工：将金属靶材进行机械加工，制得表面光滑、平整的金属靶材。本方法将强磁场取向引入到热压工艺制备金属靶材工艺中，利用热压获得高密度；利用强磁场使金属粉的易磁化轴，朝磁场方向转动，从而获得具有良好取向。通过热压和强磁场的复合效应获得具有高密度、强织构的高质量磁控溅射靶材。
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公开(公告)号：CN104900891A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510229047.X
申请日：2015-05-07
Applicant: 昆明贵金属研究所
CPC classification number: H01M4/925 , H01M4/8875
Abstract: 本发明公开了一种铂网担载氧化铂电极材料及其制备方法，所述铂网担载氧化铂电极材料的结构包括基底铂网(1)和PtO2活性层(2)。所述基底铂网(1)铂网目数为60～80目，丝直径0.09mm～0.12mm，纯度≥99.9％；PtO2活性层(2)中PtO2颗粒的粒径范围在300nm～2000nm，PtO2活性层厚度在0.01mm～0.05mm之间，Pt含量≥80.00％。具体制备步骤如下：首先对基底铂网进行离子束溅射清洗；其次取亚微米的PtO2粉末和导电高分子有机载体，按比例混合、研磨制备得到PtO2浆料；再次采用丝网印刷的方法将PtO2浆料附着于铂网上；最后对担载PtO2浆料的铂网进行热处理。本发明通的方法不仅简便、易操作，而且能保证PtO2电极具备催化活性高、耐蚀性强、寿命长等优点，为原电池催化剂改性方法及电极制备技术提供新的方向，推进原电池的商业化进程。
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公开(公告)号：CN102703870B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210141181.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ru非磁性薄膜及其制备方法，包括基片1和钌非磁性薄膜层2。钌非磁性薄膜层2是由具有（002）晶面的X射线衍射峰强度比用式（1）表示为30%以上的Ru靶溅射得到，钌非磁性薄膜层2呈（002）晶面的择优取向生长，用式（1）表示的（002）晶面的X射线衍射峰强度比为60%~85%，………………………..式（1），本发明用磁控溅射的方法制备出了(002)晶面择优取向生长、表面颗粒均匀，表面粗糙度小的Ru非磁性薄膜。以该薄膜为磁记录介质的中间层，有利于减小中间层与磁记录层的晶格失配度，降低界面间的应力，为磁记录层提供易于垂直生长的晶面取向，最终改善垂直磁记录介质的磁学性能。
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