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公开(公告)号：CN120039869A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510209152.0
申请日：2025-02-25
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B32/174 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525 , B22F1/054 , B22F1/12 , B22F9/24
Abstract: 本发明属于锂离子电池负极材料技术领域，具体为水热法制备锂离子电池锗碳纳米复合材料的制备方法。本发明制备方法包括：将二氧化锗加入氢氧化钠溶液中，用磁力搅拌器剧烈搅拌至二氧化锗完全溶解，得锗酸钠澄清溶液；将浓盐酸逐滴滴入锗酸钠溶液中形成白色悬浮液，并加入碳纳米管；将混合溶液放入水热反应釜中，进行水热反应；再用无水乙醇和超纯水反复过滤、洗涤材料，最后真空干燥得到锗碳纳米复合材料。本发明选用二氧化锗与碳纳米管为原料，通过水热反应生成纳米结构的锗碳复合材料，不使用任何粘结剂和催化剂，制备过程简单、成本低，且所得材料性能稳定，能量密度高，适合长期储存，为锗基负极材料的商业化应用提供支持。
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公开(公告)号：CN118047381A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410163680.2
申请日：2024-02-05
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及电子级多晶硅生产制备技术领域，公开一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法，该方法包括：加热硅棒的同时通入气相，所述气相包括H2和含有痕量BC l3杂质的Si HCl3；当通入含有痕量BC l3杂质的SiHC l3时，控制所述气相升温至400‑600℃；当气相温度升高至设定温度时加快硅棒升温速率，将还原炉温度升高至950‑1200℃，并维持硅棒表面所述气相温度为950‑1200℃；通入含有痕量BC l3杂质的SiHC l3时间为100‑105h，总生产时间为110‑120h，全程通入H2。该方法通过三个阶段的温度控制和气体流量控制，实现了对多晶硅生产过程的精确控制，避免了硼杂质的过度引入，同时优化了还原炉的能耗和生产效率。
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公开(公告)号：CN116555597A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310434404.0
申请日：2023-04-21
Applicant: 云南驰宏国际锗业有限公司 , 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种四氯化锗短流程制备高纯锗及尾气循环处理方法，本发明四氯化锗氢还原短流程制备高纯锗装置，包括储气罐，高纯四氯化锗氢气还原炉，反应尾气精馏系统以及二氯化锗氯化系统。本发明的方法是利用高纯氢气将高纯四氯化锗携带进入还原炉中，进行反应在锗棒上沉积锗金属，后根据纯度需要在进行区熔提纯；未完全反应的气体经过后续的精馏以及氯化系统，再次得到高纯氢气以及四氯化锗，实现尾气循环处理。
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公开(公告)号：CN111268682B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010183466.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035 , H01L29/16 , H01L31/0368
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种制备多晶硅的原料组合物、制备方法及制备系统，制备多晶硅的组合物由SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)组成，按质量比例STC：TCS＝(20％～50％):(80％～50％)。制备多晶硅的方法包括：以STC和TCS按质量比例混合为原料，并根据原料混合比例确定Cl/H的进料配比，在温度1323‑1473K，压强0.1‑0.6MPa的制备条件下，进行多晶硅的制备。本发明为降低TCS和STC彻底分离带来的高成本问题，进行了温度、压强以及进料配比对硅沉积率影响的分析，在硅原料中TCS所占比例为80％～50％，Cl/H为0.04‑0.1时，硅产率可达到35％以上。
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公开(公告)号：CN112458309A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011465902.4
申请日：2020-12-14
Applicant: 昆明冶金研究院有限公司 , 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高硫化锌精矿中锌浸出率的方法，包括前处理、浸出反应和后处理步骤，具体是将硫化锌精矿细磨处理后烘干，配置一定浓度的硫酸溶液；将硫化锌精矿粉、硫酸溶液、氧载体添加剂、分散剂木质素加入到高压釜中；设置好预定的反应温度，通入高纯氧气，搅拌形成悬浊液分散在酸液中，反应一定时间，得到浸出液和浸出渣；对浸出液进行后续处理得到金属锌。该方法在硫化锌精矿加压浸出的基础上加入氧载体，增强了氧传质，使浸出在100℃，0.3Mpa条件下有很好的浸出效果，降低能源需求，大幅减少了生产成本和设备损耗，且添加剂可以重复使用，减少污染，工艺流程简单，便于推广和使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120032735A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510009468.5
申请日：2025-01-03
Applicant: 赤峰云铜有色金属有限公司 , 昆明理工大学
Abstract: 本申请涉及铜冶炼渣型优化技术领域，具体涉及一种双炉连续炼铜工艺的渣型优化方法。本方法首先根据熔炼及吹炼渣的主要组元成分含量，确定熔炼渣和吹炼渣的主要渣型，再通过调控其中造渣剂的量计算渣系的粘度，再分别以熔炼渣中CaO、SiO2、MgO、Al2O3之一为固定量，或吹炼渣中CaO、SiO2之一为固定量，进行渣系等温线相图的绘制，最后再将理论计算得出的结果与生产实际进行结合分析，得出一种渣型优化的方法。本发明针对双炉连续炼铜工艺的熔炼及吹炼过程进行了研究，有效将模拟计算与实际结合，根据本方法得到的渣型成分使炉渣具有流动性好、铜直收率高、高产和高效益等优点，有效降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118083986A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410140953.1
申请日：2024-02-01
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供了一种通过抑制硼沉积量制备电子级多晶硅的方法，包含下列步骤：(1)将三氯氢硅和氢气的混合气体通入西门子反应器中；(2)升高硅棒表面温度，使硅在硅棒表面进行化学气相沉积；(3)硼及剩余硅通过氢气带出后冷却并返回精馏，回收硼与硅，氢气返回反应器。本发明对现行的改良西门子法生产多晶硅工艺进行了调整，通过控制气相化学沉积条件来控制硅和硼的沉积速率，达到对多晶硅中硼含量的控制，可生产不同规格的多晶硅。本发明工艺简单、操作简便，为改良西门子法除硼提供了一种新的途径，可生产符合电子级要求的多晶硅。本发明对工艺流程和设备没变化要求，工艺适用性强，实用性广。
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公开(公告)号：CN115896466B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310011446.3
申请日：2023-01-05
Applicant: 昆明理工大学 , 个旧市沙甸永和冶炼厂
Abstract: 本发明提供了一种处理复杂有色金属二次物料的方法，涉及有色金属冶金技术领域，本发明通过富氧侧吹—还原底吹冶炼一体炉对复杂有色金属二次物料进行富氧熔炼和烟化挥发，配合离心机加硫除铜、结晶机分离锡、铅，可有效对复杂有色金属二次物料进行综合处理，提高资源综合利用效率，降低成本，富氧侧吹—还原底吹冶炼一体炉不同位置设置三个通风口，满足实现不同冶炼过程的燃料、气氛与温度的需要，设置两个系统收尘，减轻后续资源利用压力，能提高富氧侧吹—还原底吹冶炼一体炉的功能。
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公开(公告)号：CN115069237A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210487695.5
申请日：2022-05-06
Applicant: 云南驰宏锌锗股份有限公司 , 昆明理工大学
Abstract: 本发明申请是关于一种臭氧催化剂及其制备方法和高盐低COD废水的处理方法，本发明对铅锌冶炼企业来说不仅使生产过程产生的高盐低COD废水达标排放，而且降低高盐废水中的COD含量能够使得该高盐废水可以进行回用，减少了企业对该废水的处置成本，该废水中的COD含量降低以后对企业生产的产品质量也会提高许多，对企业来说无疑是雪中送炭。除此之外该技术经济可靠，流程简短，易操作。
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公开(公告)号：CN114653327A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210301615.2
申请日：2022-03-24
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于本发明属于化工生产技术领域，公开一种提高耗氧体系氧传质的方法，配制0.5L浓度为0.1mol/L的亚硫酸钠溶液；升高体系温度到预定温度，用氮气对溶液进行脱气处理；加入有机物载氧介质，在搅拌状态下以1L/min的速度通入O2，反应一段时间；用碘量滴定法测定溶液中剩余Na2SO3含量，用差量法计算出亚硫酸钠转化率。该方法有效提升反应体系氧传质效率，操作方法简单，成本低，并可应用于大部分的气‑液耗氧体系中。本发明利用有机物载氧介质更高的氧溶解度及化学势梯度进行氧传质，减小了气液传质阻力，从而提高耗氧体系的化学反应速率。
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