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公开(公告)号:CN101974782A
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN201010550306.6
申请日:2010-11-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种碳热还原制备金属硅和α-Al2O3晶须方法,采用含二氧化硅和三氧化二铝的物料(如粉煤灰、铝土矿和赤泥)为原料,碳为还原剂。在高温炉内控制温度1200℃~2000℃进行还原,后在500℃~1000℃进行冷凝,获得单质硅和α-Al2O3晶须。将硅分离后获得的α-Al2O3晶须直径均匀,为2μm~5μm,晶须长度100μm~200μm,长径比为20~100,且工艺流程短、成本低、得率高。本发明方法制备的α-Al3O3晶须具有高比强度、高比模量和高温抗氧化等优越的综合性能,主要用于高性能复合材料,尤其是高温结构陶瓷材料。
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公开(公告)号:CN101462723B
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN200910094007.3
申请日:2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/025 , C22C21/02
Abstract: 本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法,采用含二氧化硅和三氧化二铝物料为原料,各种不同的碳为还原剂。在真空炉内碳热还原得到金属铝、硅和二氧化硅的混合物,将所生成的金属铝、硅和二氧化硅的混合物与造渣剂进行混合,加热到1500℃以上,二氧化硅造渣去除,并得到熔融态的富含硅的铝硅合金,然后经过定向冷凝,得到高纯硅和铝硅合金。获得的高纯硅纯度大于99.99wt%,铝硅合金中铝和硅的含量总和大于80wt%。工艺流程短、成本低、经济效益高。
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公开(公告)号:CN203429279U
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201320402194.9
申请日:2013-07-08
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种分离过共晶铝硅合金的装置,属于电磁冶金技术领域。包括熔料装置和提拉装置,熔料装置的主体为石墨坩埚,石墨坩埚的外部有活动的感应装置、底部有带有支撑机构的托盘;提拉装置的主体为倒置的石英管,倒置的石英管的顶部有引锭机构、内部有模子、外部有冷却环;石英管的外径小于石墨坩埚的内径,倒置的石英管套入石墨坩埚。该装置分离过共晶硅铝合金制备初晶硅和共晶硅铝合金流程短,操作过程简单且节能环保,生产成本低,分离出的初晶硅除杂效果均比普通定向凝固好,而经历此过程获得的铝硅熔体脱去了一定的氢气,可以获得性能较好的共晶铝硅合金。
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