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公开(公告)号：CN112272920B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201980034943.7
申请日：2019-04-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 将包含单晶硅的支撑基板接合于压电性单晶基板而得到的接合体中，使用高电阻接合层，且使支撑基板与压电性单晶基板之间的接合强度得到提高。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其包含单晶硅；接合层2A，其设置于支撑基板1与压电性单晶基板4、4A之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有硅原子、氧原子以及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度高于接合层2A内的氧原子的平均浓度。
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公开(公告)号：CN111919385B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201980018675.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L41/09 , H01L41/312
Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板与压电性单晶基板之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。氧比率从接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部向接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部增加或减少。接合层(2A)中的氧比率x的最大值为0.013以上0.666以下，氧比率x的最小值为0.001以上0.408以下。
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公开(公告)号：CN112088149A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980026646.8
申请日：2019-02-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B37/00 , H01L41/187 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 本发明在由铌酸锂等形成的压电性单晶基板1(1A)与支撑基板3的接合体8(8A)中，抑制加热时的接合体的翘曲。接合体8(8A)具备：支撑基板3；压电性单晶基板1(1A)，所述压电性单晶基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层7，所述非晶质层7包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板3的原子以及氩原子，且存在于支撑基板3与压电性单晶基板1(1A)之间。非晶质层7的中央部的氩原子的浓度高于非晶质层7的周缘部的氩原子的浓度。
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公开(公告)号：CN110463038B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201880001047.6
申请日：2018-03-22
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 对于包括：包含多晶陶瓷材料或单晶材料的支撑基板、压电性单晶基板和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层的接合体，提高接合层处的绝缘性，并且提高支撑基板与压电性单晶基板的接合强度。接合体5包括：支撑基板1、压电性单晶基板4和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层2A。接合层2A具有Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)的组成。
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公开(公告)号：CN109075758B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201780013563.6
申请日：2017-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/313 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 在包含陶瓷的支撑基板上设置接合层，将接合层和压电性单晶基板接合时，使压电性单晶基板与接合层之间的接合强度提高，同时防止接合层与支撑基板之间的剥离。接合体8具有：包含陶瓷的支撑基板1；在支撑基板1的表面1a设置的接合层3A，接合层3A包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质；和与接合层3A接合的压电性单晶基板6A。支撑基板1的表面1a的算术平均粗糙度Ra为0.5nm～5.0nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108886347A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780017024.X
申请日：2017-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/313 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 在将压电性单晶基板与包含陶瓷的支撑基板直接键合时，可进行常温下的接合，并且使接合强度提高。在包含陶瓷的支撑基板上形成接合层，该接合层包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面照射中性束，使接合层3A的表面4活化。将接合层的表面4与压电性单晶基板6直接键合。
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公开(公告)号：CN105340178B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201480036216.1
申请日：2014-06-05
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 一种弹性波装置(10)，是端面反射型的弹性波装置，在压电基板(12)与支撑基板(14)相接合而成的近长方体状复合基板(15)中的压电基板(12)上，配置有一对相互插入的IDT电极(16)、(18)。压电基板(12)的侧面中的与弹性波传播方向正交的第1侧面(12a)的缺口尺寸，在弹性波波长λ的1/10以下。压电基板(12)的侧面中的与弹性波传播方向平行的第2侧面(12b)的缺口尺寸，大于第1侧面(12a)的缺口尺寸，例如在波长λ的1/2以上、50倍以下。
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公开(公告)号：CN104365019B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380030905.7
申请日：2013-06-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/053 , H01L41/1873 , H01L41/313 , H03H9/02574 , H03H9/25
Abstract: 复合基板10由支承基板12和压电基板14贴合而成，本实施方式中，支承基板12与压电基板14通过粘合层16贴合。该复合基板10的支承基板12由透光性氧化铝陶瓷制作，因此，较之于支承基板由不透明的陶瓷制作的情况，FCB时容易定位。此外，支承基板12的可见光区域(360～750nm)中的直线透过率及前方全光线透过率分别优选10％以上及70％以上。
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公开(公告)号：CN105164919B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480016412.2
申请日：2014-03-19
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/02228 , H03H9/02574 , H03H9/25 , H03H9/6489
Abstract: 一种弹性波元件用复合基板，其具备支承基板(1)以及与支承基板(1)接合、由压电单晶构成、传播弹性波的传播基板(3)。传播基板(3)具有所述压电单晶的晶格发生畸变的表面晶格畸变层(11)。
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公开(公告)号：CN104396142A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380033657.1
申请日：2013-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H01L41/0805 , H01L41/22 , H03H3/08 , H03H9/02574 , Y10T428/2495
Abstract: 复合基板10具有：压电基板12；以及支持层14，所述支持层14接合于压电基板12上，由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成，厚度小于压电基板12。此外，压电基板12与支持层14通过粘着层16相接合。复合基板10的总厚度为180μm以下。将压电基板12的厚度设为t1，将支持层14的厚度设为t2时，基材厚度比Tr＝t2/(t1+t2)为0.1以上且0.4以下。厚度t1为100μm以下。厚度t2为50μm以下。支持层14由硼硅玻璃、石英玻璃等玻璃、Si、SiO2、蓝宝石、陶瓷、铜等金属等形成。
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