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公开(公告)号：CN105579418A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480051062.3
申请日：2014-09-05
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
CPC classification number: C04B35/18 , B32B18/00 , C03C8/16 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/3427 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/6025 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/343 , C04B2237/562 , H05K3/4629 , H05K2201/068 , H05K2201/096 , H05K2201/09709
Abstract: 本发明的陶瓷布线基板(1)具备陶瓷基板(10)和内部导体(20)。内部导体(20)配置于陶瓷基板(10)内。陶瓷基板(10)包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料。第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于第二陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数。第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于第一陶瓷填料的3点弯曲强度。
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公开(公告)号：CN101636819B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200880008599.6
申请日：2008-10-28
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: H01L21/223
CPC classification number: H01L21/2225
Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。
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公开(公告)号：CN101171205A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200680015995.2
申请日：2006-04-11
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Abstract: 本发明提供化学上稳定、大型的、厚度薄、具有均匀厚度、而且能量转换效率高的荧光体复合玻璃、荧光体复合玻璃生片和荧光体复合玻璃的制造方法。本发明的荧光体复合玻璃，通过烧制含有玻璃粉末、无机荧光体粉末的混合物而得到，其特征在于：当照射在波长350～500nm的区域具有发光峰的光时，对波长380～780nm的可见光区域的能量转换效率为10％以上。
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公开(公告)号：CN116057019A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057327.0
申请日：2021-08-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
IPC: C03C3/062
Abstract: 本发明的玻璃陶瓷电介质材料含有玻璃粉末和α石英粉末，其中，玻璃粉末的含量为60～80质量％、α石英粉末的含量为20～40质量％，并且，作为玻璃组成，玻璃粉末按质量％计含有SiO238～50％、MgO 10～20％、CaO 15～25％、ZnO 15～25％、Li2O‑+‑Na2O+K2O0％～低于2％。
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公开(公告)号：CN102782533B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180011360.6
申请日：2011-02-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
CPC classification number: G02B1/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , F21V7/22 , G02B5/0242 , G02B5/0284 , G02B5/08
Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为材料不使用微小粒子也能实现高光反射率的光反射基材和使用该基材的发光设备。本发明的光反射基材是在玻璃基体中含有RNb2O6结晶和/或R4Nb2O9结晶，其中，R为Mg、Ca、Sr、Ba中的任一种或一种以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105198221A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510523385.4
申请日：2011-02-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
CPC classification number: G02B1/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , F21V7/22 , G02B5/0242 , G02B5/0284 , G02B5/08
Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为材料不使用微小粒子也能实现高光反射率的光反射基材和使用该基材的发光设备。本发明的光反射基材是在玻璃基体中含有RNb2O6结晶和/或R4Nb2O9结晶，其中，R为Mg、Ca、Sr、Ba中的任一种或一种以上。
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公开(公告)号：CN102668035B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201080052777.2
申请日：2010-11-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: H01L21/223
CPC classification number: H01L21/2225 , C04B35/18 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , H01L21/223
Abstract: 本发明在于提供一种掺杂物源，其中，B2O3挥发量不易经时降低，长期具有良好的B2O3挥发能力。掺杂物源具有包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体，其中，以摩尔%表示，硼成分挥发层含有30～60%的SiO2、10～30%的Al2O3、15～50%的B2O3和2～15%的RO，耐热层含有8～40%的SiO2、40～85%的Al2O3、5～30%的B2O3和0.5～7%的RO，其中，R是碱土金属。叠层体的至少一侧的最外层由硼成分挥发层构成。叠层体还在叠层体内部包括硼成分挥发层。构成叠层体的至少一侧的最外层的硼成分挥发层中的B2O3的含有率比叠层体内部的硼成分挥发层中的B2O3的含有率低。
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公开(公告)号：CN102782533A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011360.6
申请日：2011-02-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
CPC classification number: G02B1/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , F21V7/22 , G02B5/0242 , G02B5/0284 , G02B5/08
Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为材料不使用微小粒子也能实现高光反射率的光反射基材和使用该基材的发光设备。本发明的光反射基材是在玻璃基体中含有RNb2O6结晶和/或R4Nb2O9结晶，其中，R为Mg、Ca、Sr、Ba中的任一种或一种以上。
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公开(公告)号：CN102751427A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210218431.6
申请日：2007-05-15
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , C03C8/08 , C03C8/14 , C09K11/7734
Abstract: 本发明提供一种荧光体复合部件的使用，其中，所述荧光体复合部件通过配置在发光芯片的发光面一侧，能够将从发光芯片发出的光变换为其它波长的光，所述荧光体复合部件是将荧光体复合材料烧制而成，所述荧光体复合材料为包括玻璃粉末和荧光体粉末的荧光体复合材料，所述玻璃粉末是SnO－P2O5－B2O3类玻璃，SnO－P2O5－B2O3类玻璃含有2～30摩尔％的B2O3，P2O5的含量为5～24摩尔％。
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公开(公告)号：CN115872624A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211195023.3
申请日：2022-09-28
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
Abstract: 本发明的层叠玻璃陶瓷电介质材料的特征在于，至少具有按照外层、内层、外层的顺序层叠而成的层叠结构，上述外层分别由厚度0.1～5μm的氧化铝形成，且上述内层包含以质量％计含有SiO2 50～60％、CaO 20～30％、MgO 15～21％作为玻璃组成的结晶性玻璃粉末。
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