公开(公告)号：CN101031518A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580032987.4

申请日：2005-09-29

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 斋藤和也 ,  日方元

IPC: C03C3/083 ,  C03C3/091 ,  C03C3/085 ,  C03C3/093 ,  C03C3/087 ,  H01L23/29 ,  C03C3/097 ,  H01L23/31

CPC classification number: C03C3/097 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  H01C1/028 ,  H01C7/008 ,  H01L23/291 ,  H01L24/01 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种环保的、半导体包封用的玻璃和用于半导体包封的外管，以及允许半导体电子部件具有700℃或更高的耐热性作为普通最高温度，以及提供一种半导体电子部件。根据本发明的半导体包封用的玻璃基本上不包含铅和粘滞度达到1010dPa·s时的温度是700℃或更高。根据这种结构，由于玻璃基本上不包含铅，在半导体包封用的外管的制造中和在半导体电子部件的制造中，不会排出有害成分，因此该玻璃是环保的。而且，由于粘滞度达到1010dPa·s时的温度是700℃或更高，使用该玻璃的半导体电子部件如珠形热敏电阻具有700℃或更高的耐热性作为普通最高温度。

公开(公告)号：CN1359864A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN01140396.9

申请日：2001-12-21

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 日方元 ,  桥本幸市

IPC: C03C3/072 ,  C03C3/102 ,  C03C4/10 ,  H01L23/06 ,  H01L23/29

CPC classification number: C03C3/108 ,  C03C3/072 ,  C03C4/16 ,  C03C8/24

Abstract: 本发明提供了一种能够满足①基本上应不含Li、Na或K,②应能在低温下封入,③热膨胀系数应与钼电极一致,④封入时应没有来自玻璃的气体的发生,⑤体积电阻率应高,⑥应能高精度地成形为管状,等要求的半导体封入用管玻璃。其特征在于,基于质量百分率具有SiO220～50%,Al2O31～12%,B2O36～25%,PbO30～55%,Cs2O0.5～12%,Li2O+Na2O+K2O