玻璃基板的制造方法以及玻璃基板

    公开(公告)号:CN103121792A

    公开(公告)日:2013-05-29

    申请号:CN201310014831.X

    申请日:2009-01-19

    Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序:成型工序,其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状;退火工序,其对玻璃带进行退火;以及切割工序,其切割玻璃带而得到玻璃基板,该玻璃基板的制造方法的特征在于:在退火工序中,使得从退火点至(退火点-50°C)为止的平均冷却速度与从(退火点+100°C)至退火点为止的平均冷却速度相比较低。

    无碱玻璃基板
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101370742A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200780002378.3

    申请日:2007-01-11

    Inventor: 加藤嘉成

    CPC classification number: C03C3/091 C03B25/025

    Abstract: 本发明提供一种无碱玻璃基板,该无碱玻璃基板的短边、长边均为1500mm以上,其特征在于,在自常温起以10℃/分钟的速度升温,并以保持温度450℃保持10个小时,再以10℃/分钟的速度降温(按照图1所示的温度时间表进行热处理)时,基板内的热收缩率绝对值的最大值与最小值之差为5ppm以内。该基板可以如下制成:在成形时的冷却过程中,在距退火点至小于退火点100℃的温度范围内,将板宽方向的中央部分和端部的平均冷却速度的差调节为100℃/分钟以内。

    玻璃基板的制造方法以及玻璃基板

    公开(公告)号:CN103121792B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201310014831.X

    申请日:2009-01-19

    Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序:成型工序,其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状;退火工序,其对玻璃带进行退火;以及切割工序,其切割玻璃带而得到玻璃基板,该玻璃基板的制造方法的特征在于:在退火工序中,使得从退火点至(退火点-50℃)为止的平均冷却速度与从(退火点+100℃)至退火点为止的平均冷却速度相比较低。

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