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公开(公告)号：CN114127956B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202080051447.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。
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公开(公告)号：CN117044405A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280022235.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的课题在于使电介质板的处理变得容易并且降低电介质板因电介质板的热膨胀而破损的可能性。等离子体处理装置(1)包括真空容器(2)、天线(6)以及磁场导入窗(3)，磁场导入窗(3)具有形成有多个狭缝(41)且具有桥接部(42)的金属板(4)、以及覆盖多个狭缝(41)的多个长方形形状的电介质板(5)，以相邻的电介质板(5)各自的相互相向地邻接的边位于桥接部(42)上的方式配置多个电介质板(5)。
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公开(公告)号：CN116998226A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022236.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的课题在于在真空容器的内部生成抑制了静电耦合性成分的等离子体。等离子体处理装置(1)包括：真空容器(2)；天线(7)，产生高频磁场；以及磁场导入窗(3)，将高频磁场导入至真空容器(2)的内部，磁场导入窗(3)具有：金属板(4)，形成有多个狭缝(41)；以及电介质板(5)，以覆盖多个狭缝(41)的方式与金属板(4)重叠并且形成有金属层(6)，金属层(6)被维持于规定的电位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113169232A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080222.X
申请日：2019-12-04
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 一种薄膜晶体管，在基板上依序配置有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极，所述薄膜晶体管的特征在于，所述氧化物半导体层自所述基板侧起依序具备第一半导体层与第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层包括含有相互相同的构成元素的氧化物半导体膜，且构成所述第二半导体层的氧化物半导体膜的结晶性较构成所述第一半导体层的所述氧化物半导体膜的结晶性高。
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公开(公告)号：CN110709533B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201880036037.6
申请日：2018-03-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种溅射装置，包括：真空容器，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部，在真空容器内保持基板；靶材保持部，在真空容器内与基板相向而保持靶材；以及多个天线，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线包括：导体部件，至少两个，且呈管状；绝缘部件，设置于相互邻接的导体部件之间，使所述导体部件绝缘，且呈管状；以及电容元件，与相互邻接的导体部件电串联连接；电容元件包括：第一电极，与相互邻接的导体部件中的一者电连接；第二电极，与相互邻接的导体部件中的另一者电连接，并且与第一电极相向而配置；以及电介质，填满第一电极与第二电极之间的空间；并且电介质为冷却液。
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公开(公告)号：CN110709533A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036037.6
申请日：2018-03-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 利用天线高效率地产生溅射用的等离子体，并且使等离子体的均匀性提高而使成膜的均匀性提高。本发明包括：真空容器2，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部3，在真空容器2内保持基板W；靶材保持部4，在真空容器2内与基板W相向而保持靶材T；以及多个天线5，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线5包括：导体部件51，至少两个，且呈管状；绝缘部件52，设置于相互邻接的导体部件51之间，使所述导体部件51绝缘，且呈管状；以及电容元件53，与相互邻接的导体部件51电串联连接；电容元件53包括：第一电极53A，与相互邻接的导体部件51中的一者电连接；第二电极53B，与相互邻接的导体部件51中的另一者电连接，并且与第一电极53A相向而配置；以及电介质，填满第一电极53A与第二电极53B之间的空间；并且电介质为冷却液CL。
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公开(公告)号：CN118510936A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380015727.4
申请日：2023-01-26
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。溅镀装置(1)包括：靶(Tr)，具有与载置于载台(H)上的被处理物(H1)相向的相向面(Tr1)，且配置于真空容器(2)的内部；高频窗(11)，包括具有狭缝(12a)的金属板(12)及介电体(13)，为了在真空容器(2)的内部产生等离子体，而将高频磁场导入至真空容器(2)的内部，并且设置于真空容器(2)的壁面；以及直线状天线(14)，在真空容器(2)的外部接近于高频窗(11)而配置，并且产生高频磁场。高频窗(11)以真空容器(2)的内部侧的主表面自与相向面(Tr1)平行的面向靶(Tr)的方向倾斜的方式配置。
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公开(公告)号：CN116250065A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180064311.2
申请日：2021-11-22
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 松尾大辅
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种成膜方法，为通过使用等离子体对靶材进行溅镀而将氧化物半导体膜形成于基板上的方法，所述成膜方法中，通过变更所述基板与所述靶材之间的距离来控制所述氧化物半导体膜的结晶性。
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