公开(公告)号：CN115362246A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180026155.0

申请日：2021-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  森谷俊介 ,  绪方裕斗 ,  福田拓也 ,  新城彻也

IPC: C11D1/62 ,  C11D3/20 ,  C11D3/43 ,  H01L21/304

Abstract: 一种清洗剂组合物，其特征在于，用于去除粘接剂残留物，该清洗剂组合物包含季铵盐、金属腐蚀抑制剂以及有机溶剂，上述金属腐蚀抑制剂由碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物单羧酸、碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物二羧酸或其酸酐、碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物单羧酸、或碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物二羧酸或其酸酐构成。

公开(公告)号：CN115335970A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024051.6

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，L1的烷基的碳原子数与L2的烷基的碳原子数的合计为6以下。)

公开(公告)号：CN115335969A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024022.X

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，其特征在于，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含选自分子量小于160的、脂肪族烃化合物、芳香族烃化合物、醚化合物、硫醚化合物、酯化合物以及胺化合物中的一种或两种以上，上述粘接层上的上述剥离用组合物的接触角小于31.5度。

公开(公告)号：CN119301738A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380029417.8

申请日：2023-03-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柳井昌树 ,  奥野贵久 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C08L83/05 ,  C08L83/07 ,  C08L83/12 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种粘接剂、具有该粘接剂的层叠体，所述粘接剂向晶片的电路面、支承体(支承基板)的旋涂性优异，将晶片的电路面与支承体隔着粘接层接合的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片加工后(例如晶片背面的研磨后)能容易地将晶片与支承体剥离。一种粘接剂，其在支承体与晶片的电路面之间可剥离地粘接，用于对晶片的背面进行加工，所述粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)和包含聚醚改性硅氧烷的成分(B)。

公开(公告)号：CN117882172A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280058487.1

申请日：2022-08-24

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  臼井友辉 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

IPC: H01L21/02 ,  B32B7/12 ,  C09J11/06 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/304

Abstract: 一种层叠体，其具有：半导体基板、支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层，所述粘接层由粘接剂组合物的固化物形成，所述粘接剂组合物含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷、具有Si－H基的聚有机硅氧烷、铂族金属系催化剂、以及交联抑制剂，所述交联抑制剂含有含吡啶环的化合物和含磷的有机化合物中的至少任一种。

公开(公告)号：CN117098824A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280026154.0

申请日：2022-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 臼井友辉 ,  奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

IPC: C09J201/00

Abstract: 一种粘接剂组合物，其中，涂布所述粘接剂组合物而得到的粘接剂涂布层在25℃以上且100℃以下的复数粘度为10Pa·s以上且10000Pa·s以下，并且所述粘接剂涂布层的下述式(1)中求出的粘度降低率为80％以下。粘度降低率(％)＝((V25－V100)/V25)×100……式(1)V25：25℃时的复数粘度。V100：100℃时的复数粘度。

公开(公告)号：CN115989142A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052586.4

申请日：2021-08-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  臼井友辉 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

IPC: B32B27/00

Abstract: 一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板；设为与上述半导体基板相接的剥离层；以及设于上述支承基板与上述剥离层之间的粘接层，上述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，上述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×103Pa·s～0.75×103Pa·s，上述膜的厚度为0.01μm～4.90μm。

公开(公告)号：CN115335967A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180023489.2

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/24

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L0)～(L4)中的任一式所示的有机溶剂。(式中，L101～L112分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L101～L112中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基)。