抗反射膜
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110998371A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201880048918.X

    申请日:2018-08-01

    Abstract: 本发明提供一种在宽频带中具有优异的反射特性(低反射性)、且着色得到了抑制的抗反射膜。本发明的抗反射膜依次具有:透明基材,及自该透明基材起依次的密合层、第一Nb2O5层、第一SiO2层、第二Nb2O5层和第二SiO2层,第一Nb2O5层的光学膜厚为28nm~33nm,第一SiO2层的光学膜厚为46nm~59nm,第二Nb2O5层的光学膜厚为262nm~286nm,第二SiO2层的光学膜厚为122nm~135nm。

    透明导电性膜
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103839607B

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201310597960.6

    申请日:2013-11-22

    CPC classification number: G06F3/044 H01B1/08 Y10T428/265

    Abstract: 提供结晶性优良,比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜(1),包含:膜基材(2)、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层(3)。多晶层(3),在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度,多晶层(3)的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%~12重量%。此外,多晶层(3)的总厚度为10nm~35nm,构成多晶层(3)的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm~730nm。

    透明导电性薄膜及触摸面板

    公开(公告)号:CN102682876B

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201210071624.3

    申请日:2012-03-16

    Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜及触摸面板,所述透明导电性薄膜具有抗粘连性并且具有良好的透明性及外观特性。本发明的透明导电性薄膜具有透明高分子基板,且在透明高分子基板的一个主面侧具有透明导电层,在透明高分子基板和透明导电层之间、或者透明高分子基板的与透明导电层形成面处于相反侧的主面的至少任一位置形成有具有表面凹凸的固化树脂层。固化树脂层的厚度优选为1μm以上3μm以下。另外,优选的是,固化树脂层含有基于物性的差而发生相分离的具有至少2种成分的树脂组合物和微粒,所述微粒相对于树脂组合物的固体成分100重量份为0.01~5重量份。微粒的粒径优选为固化树脂层的厚度的25~80%。

    层叠片及其加工方法及装置、光学元件、图像显示装置

    公开(公告)号:CN1640597A

    公开(公告)日:2005-07-20

    申请号:CN200510003976.5

    申请日:2005-01-14

    Abstract: 本发明提供能够对层叠片的切割面进行高精度切削、其切割面状态良好、且沿着拉伸方向不易出现破裂的切削加工方法、切削加工装置、以及通过该方法被切削的层叠片、光学部件、具备该光学部件的光学元件、搭载有该光学部件或该光学元件的图像显示装置。本发明的层叠片的切削加工方法是对被切割为矩形的层叠片的切割面进行切削加工的方法,其中具有:叠放多片所述层叠片而形成被切削体(1)的工序;使具有垂直于所述被切削体(1)的切割面(1a)、(1b)的旋转轴(S)、和突出设置于所述被切削体(1)的切割面一侧的切削刀(4)的切削部件(2),以旋转轴(S)为中心进行旋转的工序;使所述被切削体(1)相对所述切削部件(2)进行相对移动,使切削刀(4)接触于所述被切削体(1)的切割面(1a)、(1b)的工序。

    透明导电性薄膜及触摸面板

    公开(公告)号:CN109313963A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780035711.4

    申请日:2017-06-02

    Abstract: 提供具有优异的耐湿热性的透明导电性薄膜及具备该透明导电性薄膜的触摸面板。一种透明导电性薄膜,其在透明树脂薄膜上依次具有固化树脂层、透明导电膜,前述固化树脂层的厚度为100nm以下,前述透明导电膜进行了图案化,在温度85℃、湿度85%的气氛下放置240小时前后的前述透明导电膜的表面电阻值的变化率为1.5以下。

    透明导电性膜
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103839607A

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201310597960.6

    申请日:2013-11-22

    CPC classification number: G06F3/044 H01B1/08 Y10T428/265

    Abstract: 提供结晶性优良,比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜(1),包含:膜基材(2)、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层(3)。多晶层(3),在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度,多晶层(3)的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%~12重量%。此外,多晶层(3)的总厚度为10nm~35nm,构成多晶层(3)的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm~730nm。

    层叠片及其加工方法及装置、光学元件、图像显示装置

    公开(公告)号:CN100423874C

    公开(公告)日:2008-10-08

    申请号:CN200510003976.5

    申请日:2005-01-14

    Abstract: 本发明提供能够对层叠片的切割面进行高精度切削、其切割面状态良好、且沿着拉伸方向不易出现破裂的切削加工方法、切削加工装置、以及通过该方法被切削的层叠片、光学部件、具备该光学部件的光学元件、搭载有该光学部件或该光学元件的图像显示装置。本发明的层叠片的切削加工方法是对被切割为矩形的层叠片的切割面进行切削加工的方法,其中具有:叠放多片所述层叠片而形成被切削体(1)的工序;使具有垂直于所述被切削体(1)的切割面(1a)、(1b)的旋转轴(S)、和突出设置:所述被切削体(1)的切割面一侧的切削刀(4)的切削部件(2),以旋转轴(S)为中心进行旋转的工序;使所述被切削体(1)相对所述切削部件(2)进行相对移动,使切削刀(4)接触于所述被切削体(1)的切割面(1a)、(1b)的工序。

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