一种碳化硅打磨得疏水疏油加工装置及其加工方法

    公开(公告)号:CN115741363A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211349596.7

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅打磨得疏水疏油加工装置,属于碳化硅加工领域,一种碳化硅打磨得疏水疏油加工装置,包括圆壳,所述圆壳顶面为开口设置,所述圆壳内腔靠近底面处活动连接有放置板,所述放置板顶面设置有粘合层,所述圆壳底面设置有驱动机构,所述圆壳底面开设有若干个通孔,所述圆壳侧壁上设置有夹持打磨机构,所述圆壳侧壁靠近顶面处安装有支架,所述支架呈U形设置,所述支架顶面安装有气缸,所述气缸输出端贯穿支架并与其活动连接,所述气缸底端设置有缓冲机构,它可以实现,对碳化硅晶体进行多面打磨操作,尤其针对毛坯晶体打磨具有良好的效果,同时可快速调整打磨组件的间距,适用于不同大小的晶体。

    一种用于碳化硅制备的原料定量输送装置

    公开(公告)号:CN115625037A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211383426.0

    申请日:2022-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅制备的原料定量输送装置,属于碳化硅加工技术领域,包括底支撑架,所述底支撑架上对称安装有传输支架,所述传输支架两端转动安装有传动辊,两个所述传动辊之间设置有传输皮带,所述传输支架之间设置有用于所述传输皮带形状限定的限位机构,所述传输支架上靠近加料端安装有筛选箱,所述筛选箱内部安装有用于碳化硅原料金属杂质清除的磁选机构,所述筛选箱在靠近所述传输皮带传送方向一端设置有用于下料灰尘收集和处理的除尘机构;它可以实现形成稳定的凹形物料传输系统,使得碳化硅原料传输更加稳定,不会发生散落,同时在物料传输的过程中对金属碎屑进行祛除,提高物料定量传输的准确性。

    一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法

    公开(公告)号:CN115672541A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211383433.0

    申请日:2022-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法,属于半导体材料加工领域,一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法,包括有以下步骤:S1、杂质筛分,通过水筛法对碳化硅锭和其余杂质进行筛分,筛选出干净的碳化硅锭;S2、碳化硅锭分级,利用磁力和不同等级碳化硅锭之间的密度差将碳化硅锭筛分为一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭;S2、尺寸筛分,对碳化硅锭的尺寸进行筛分,筛分出尺寸相同的合格硅锭和与合格硅锭相差较大的不合格硅锭;S3、质量检测;它可以实现,在利用紫外线对碳化硅锭进行细筛之前,通过磁力快速地对碳化硅锭进行粗筛,有效的减少对碳化硅锭进行筛选的工作量,从而能够快速便捷的完成对碳化硅锭的筛选。

    一种碳化硅废料回收用清洗装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN115591845A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211349568.5

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅废料回收用清洗装置及其使用方法,属于碳化硅回收领域,一种碳化硅废料回收用清洗装置,包括安装板,所述安装板对称设置有两个,两个所述安装板之间左右对称分别活动连接有两个转辊,所述转辊两端分别与两侧安装板活动连接,同侧两个所述转辊侧壁上活动连接有同一个传送带,所述安装板底面固定连接有两个支架,两个所述传送带之间设置有翻料机构,所述安装板顶面固定连接有同一个壳体,它可以实现,采用即时配比清洗剂,即时冲洗的效果,将配比的清洗剂不断输送至水箱中,对碳化硅废料进行冲洗,同时利用翻转机构可增加碳化硅废料冲洗的均匀性。

    一种硅片抛光装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN114131492A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111298164.3

    申请日:2021-11-04

    Abstract: 本发明涉及硅片加工技术领域,尤其涉及一种硅片抛光装置及其使用方法。一种硅片抛光装置及其使用方法,包括加工外壳,加工外壳的两端均固定有立柱,两个立柱的顶端装配有一个固定下压机构,固定下压机构用于固定硅片并带动硅片进行移动,加工外壳内部中心处固定有电动机一。本发明通过除胶组件的结构设计,使得装置在更换抛光垫的时候能够方便快捷的对固定底盘上残留的胶体进行清洗,避免影响更换后的抛光垫的牢固度,也避免因为残留胶体导致更换的抛光垫会有凸起影响抛光;通过清理组件的结构设计,使得装置在清洗因抛光液残留物形成的沉淀物时,较为方便快捷。

    一种单晶硅片表面粘附物的全面清洗装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN114522918A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202111330797.8

    申请日:2021-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种单晶硅片表面粘附物的全面清洗装置及其使用方法,涉及单晶硅片技术领域。本发明包括清洗箱和硅片本体,清洗箱的顶部安装有用于清洗硅片本体的清洗机构,清洗箱的内部安装有用于清洁硅片本体表面的清洁机构,清洗箱的内部还安装有固定箱。本发明通过清洁机构,清扫盘的旋转和运动的轨迹,能够更好的对硅片本体表面进行清扫,减少后续清洗的工作量,通过夹持机构,能够更好的对硅片本体进行夹持,且通过旋转机构,使得本装置能够对硅片本体的两个面进行清扫,减少人工翻面的工作量,通过去除静电机构,能够减少硅片本体表面的静电,减少硅片本体对附着物的吸附力。

    一种单硅晶片表面抛光装置及使用方法

    公开(公告)号:CN114102403A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111330781.7

    申请日:2021-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种单硅晶片表面抛光装置及使用方法,涉及单硅晶片技术领域。本发明包括机身主体,还包括有:抛光机构、横向移动机构、垂直移动机构、硅片固定机构、角度调节机构和硅片传动机构。本发明通过各个配件的配合,能够有效的对单硅晶片的各个角度进行抛光打磨,且通过启动硅片传动机构带动单硅晶片进行往复移动,能够使抛光机构较为均匀的对单硅晶片进行打磨,从而大大的提升单硅晶片的表面光滑度,且通过设置可调节传动板能够较为简单的调节角度调节机构的移动行程,适用于不同尺寸的单硅晶片,简化了操作的工序。

    一种晶片测量机构装置
    19.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218787812U

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202222249835.3

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种晶片测量机构装置,属于测量装置领域,一种晶片测量机构装置,包括工作台,工作台上设置有厚度测量组件和晶片定位组件,工作台的上方固定设置有直线导轨,直线导轨上滑动连接有导轨滑块,导轨滑块上设置有直径测量组件,工作台上设置有圆晶尺寸标尺,圆晶尺寸标尺与直线导轨平行设置,厚度测量组件包括设置在工作台上方的支撑架,支撑架的上部对称设置有一组连接架,两个连接架上分别对称设置有轴动气缸,轴动气缸上设置有速度控制阀,两个轴动气缸的相对面上固定设置有厚度测量头,两个厚度测量头之间设置有晶片件;它可以实现对晶片的厚度和直径进行精确的测量。

    一种晶片收纳机构
    20.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218786355U

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202222819602.2

    申请日:2022-10-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种晶片收纳机构,属于机械加工领域,一种晶片收纳机构,包括多向调节支架,多向调节支架上固定连接有吸盘支架,吸盘支架的上侧固定连接有第一负压吸附件,第一负压吸附件上设置有第二接头,第一负压吸附件的下侧固定连接有第二负压吸附件,第二负压吸附件上装配有第一接头,多向调节支架包括有机架,机架的前侧安装有Y轴移动气缸,Y轴移动气缸的输出端固定连接有摇摆气缸,摇摆气缸的输出端固定连接有摇摆臂,且摇摆臂和吸盘支架相连,它可以实现,在保持低成本的同时,减少清洗完成的晶片上在拿取时粘附的粉尘量,减小装置对清洗完成的晶片造成二次污染。

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