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公开(公告)号：CN119136617A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411235158.7
申请日：2024-09-04
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种制备大面积锡铅钙钛矿太阳能电池的方法。本发明适用于p‑i‑n、n‑i‑p结构钙钛太阳能电池，包括，S1：在衬底上旋涂空穴传输层前驱液，退火得到空穴传输层；S2：在空穴传输层上旋涂钙钛矿吸光层前驱体，得到钙钛矿吸光层湿膜；S3：将钙钛矿吸光层湿膜放置于减压蒸馏装置中，控制真空度下降速率，实现钙钛矿吸光层湿膜的形核控制；S4：将去除溶剂的钙钛矿吸光层湿膜移出，退火得到钙钛矿吸光层；S5：在钙钛矿吸光层上依次制备钝化层、电子传输层、空穴阻挡层和电极层。本申请通过量化固定腔体在不同时刻的真空度，将抽气时间与腔体真空度一一对应，进而明确抽气速率对薄膜成核结晶可控。
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公开(公告)号：CN117542919A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311493740.9
申请日：2023-11-09
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/228
Abstract: 本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；通过印刷的方式对P+区及其外周印扩散隔离材料覆盖；采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，完成全背电极接触晶硅光伏电池的图案化制备。本发明采用硼源+印扩散隔离材料+磷扩的方式将P+区、N+区和Gap区制备在一个平面上，降低了电池金属化时印刷浆料的难度，降低了硅片的碎片率。
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公开(公告)号：CN116344632A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310127943.X
申请日：2023-02-17
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0368 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种POLO‑IBC钝化接触电池及其制备方法。钝化接触电池包括基体，基体的正面由内向外依次为AlOx钝化层和SiNx钝化层，背面由内向外依次为SiNx隧穿层，SiOx隧穿层，梯度掺杂III族元素多晶硅形成的p+层，SiNx隧穿层，梯度V族元素掺杂多晶硅形成的n+层，AlOx钝化层，SiNx钝化层，N/P之间的隔离带，p+finger和n+finger。本发明通过制备热稳定性较高的SiNx隧穿层和SiOx隧穿层作为空穴隧穿层，利用梯度V族元素掺杂多晶硅形成的n+层作为电子传输层，制备出了钝化性能较优的掺杂多晶硅层，可有效的改善欧姆接触，提升填充因子；同时引入热稳定性高、价带偏移小的氮化硅形成电子隧穿层，可避免掺杂元素的内扩；提升了电池的开路电压和短路电流。
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公开(公告)号：CN115275308B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210963319.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 扬州大学
IPC: H01M10/04
Abstract: 本发明涉及固态电池领域，尤其涉及一种柔性面型固态电池的一体成型装置，包括第一座体、第二座体和调节装置；第一座体设置有第一凹槽，第二座体设置有第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽的槽底平面平行设置，调节装置对槽底平面之间的距离进行调节；第一座体和第二座体均为透光玻璃结构，第一座体上设置有注液通道，注液通道的出口端偏离第一凹槽所在位置，且位于两座体之间。本发明中提供了一种可对柔性面型固态电池一体成型的装置，改变目前对电极和固态电解质分别固化成型，而后再行组装所带来的界面接触不充分问题，从而有效降低界面阻抗，使得固态电池容量、倍率以及循环寿命均获得一定程度的提高。本发明中还请求保护成型装置的工作方法。
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公开(公告)号：CN115312624A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210958373.4
申请日：2022-08-09
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳能电池的制备方法，本发明中电池结构采用背接触钝化结构，正面无金属区遮光且拥有更少的复合损失。过程中通过制备无掺杂MoOx作为P型区域且和TCO在制作过程中通过掩膜板阻挡，避免其他区域受到影响，从而达到局部沉积目的，省去了专门做掩膜层和清洗过程，全过程仅使用一次激光工艺且无需专门修复，减少了修复激光损伤带来的复杂过程，另外经过碱抛光，不仅实现将P型区域基底保持成抛光面，同时去除激光损伤。从而进一步缩短工艺路线，减少工艺步骤，提升背接触太阳能电池加工效率，并且湿法环节没有用到HNO3，具有一定的环保性，该结构相对简单，可实施性较强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117542919B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311493740.9
申请日：2023-11-09
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/228
Abstract: 本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；通过印刷的方式对P+区及其外周印扩散隔离材料覆盖；采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，完成全背电极接触晶硅光伏电池的图案化制备。本发明采用硼源+印扩散隔离材料+磷扩的方式将P+区、N+区和Gap区制备在一个平面上，降低了电池金属化时印刷浆料的难度，降低了硅片的碎片率。
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公开(公告)号：CN117374158B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311344505.5
申请日：2023-10-17
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1：在单面抛光样品背面完成PolySi层的沉积；S2：将硼和磷的化合物混合制备溶液，并涂覆在S1完成PolySi制备的样品表面形成薄膜；S3：使用激光照射涂覆了薄膜的硅基底，诱导薄膜中不同化合物的分解，实现选择性掺杂；S4：双面钝化氧化铝和氮化硅；S5：表面钝化完成后在硅片背面进行P区与N区的金属化，依次在硅片背面印刷银浆电极和银铝浆电极，然后烧结完成电池制备。本发明通过光诱导方法实现硅基底的选择性掺杂，操作简便，低成本，掺杂深度和区域可控，有利于提高半导体太阳能电池等器件的制备效率和性能。
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公开(公告)号：CN117585126A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311741011.0
申请日：2023-12-18
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明涉及机器人控制领域及功能材料领域，尤其一种可变刚度仿生机器鱼及其控制方法。包括鱼头控制仓和可变刚度鱼尾，鱼头控制仓由鱼头刚性外壳与鱼身底面连接组成，可变刚度鱼尾连接于刚性转动面上，刚性转动面与鱼身底面铰接；可变刚度鱼尾由被鱼尾支撑骨架包裹的可变刚度材料以及柔性尾鳍连接而成，可变刚度材料的两侧安装有多段加热电路，多段加热电路和可变刚度材料之间设置有温度传感器；其中，每一段加热电路独立加热，使多段加热电路进行分段刚度变化，以对可变刚度鱼尾的形变进行调控。当形变恢复后，停止所有多段加热器，锁定可变刚度鱼尾形状，恢复仿生机器鱼的运动特性，进而使得仿生机器鱼的运行轨迹可控。
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公开(公告)号：CN115473494B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211261063.3
申请日：2022-10-14
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明涉及航空光伏保护技术领域，尤其涉及一种宇航级光伏系统防损保护装置及方法，该装置包括光伏组件、保护组件、防损组件和控制器，其中，光伏组件包括多个电池片和导线，保护组件包括电流计和断路器，防损组件包括与防损组件并联的防损线路，防损线路与每个电池片并联，并且每个防损线路上均具有灵敏开关；控制器与电流计、断路器以及灵敏开关连接，当控制器监测到某一电池片上的输出电流或者功率超过设定阈值，则控制对应的断路器断开，同时控制对应的灵敏开关闭合，使得线路绕过异常电池片继续工作。通过上述方式的设置，不影响光伏系统的正常运行，增加了光伏组件的有效使用寿命，为航天器或者着陆车的光伏储能提供可靠的方案。
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公开(公告)号：CN114852965B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210736562.7
申请日：2022-06-27
Abstract: 本发明属于多晶硅生产领域，具体涉及一种用于多晶硅的循环氢气的提纯方法。包括如下过程：S1：将氢气进行预净化处理；S2：将预净化氢气引入提纯装置，沿第一方向流入选择性吸氢材料，并在选择性吸氢材料中位于垂直于第一方向的两平面间流通，且在经过选择性吸氢材料后流出提纯装置；S3：当吸附的氢气达到饱和后，吸氢过程结束，并对提纯装置进行吹扫；S4：降低提纯装置内的压力，或提高选择性吸氢材料的温度，使选择性吸氢材料脱附释放出高纯氢气并收集。通过在尺寸一定的提纯装置内大幅度提高气体吸附通道距离，提高吸附效率。该方法不需要采用压缩机，就能够提高纯净氢气的压力，满足了生产的要求，节省了压缩机的动力消耗，降低了能耗。
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