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公开(公告)号:CN114746783A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202080082056.X
申请日:2020-10-29
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: G02B6/036
Abstract: 本公开提供了在大于40mm的弯曲直径下,展现出在1550nm下的低宏弯损耗的光纤。光纤的相对折射率分布包括具有沟槽体积的沟槽包层区,所述沟槽体积被构造成使得在大的弯曲直径下的宏弯损耗最小化。对沟槽包层区的厚度和/或深度进行控制以将沟槽体积减小到符合在大于40mm的弯曲直径下减少宏弯损耗的程度。光纤包括包围并直接毗邻沟槽包层区的外包层区,以及任选地,在沟槽包层区与芯体区之间的偏移包层区。在一些实施方式中,芯体区是分区的芯体区,其包括内芯体区和外芯体区。可从光纤获得的低损耗弯曲使得这些光纤特别适于海底电信系统中的应用。
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公开(公告)号:CN107850728B
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN201680039272.X
申请日:2016-06-28
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: G02B6/036 , G02B6/02 , C03B37/012
Abstract: 光纤具有大有效面积、低弯曲损耗和低衰减。光纤包括纤芯、内包层区域和外包层区域。纤芯区域包括空间上均匀的正掺杂剂以使得低瑞利散射最小化,以及构造成提供大有效面积的相对折射率和半径。内包层区域具有大凹槽体积的特征,从而使得弯曲损耗最小化。纤芯可以用Cl掺杂,以及内包层区域可以用F掺杂。
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公开(公告)号:CN107850728A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680039272.X
申请日:2016-06-28
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: G02B6/036 , G02B6/02 , C03B37/012
Abstract: 光纤具有大有效面积、低弯曲损耗和低衰减。光纤包括纤芯、内包层区域和外包层区域。纤芯区域包括空间上均匀的正掺杂剂以使得低瑞利散射最小化,以及构造成提供大有效面积的相对折射率和半径。内包层区域具有大凹槽体积的特征,从而使得弯曲损耗最小化。纤芯可以用Cl掺杂,以及内包层区域可以用F掺杂。
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公开(公告)号:CN101495893B
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN200780028597.9
申请日:2007-06-15
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G02B6/02 , C03B37/01446 , C03B37/01453 , C03B37/01807 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/50 , C03B2203/26 , C03B2203/29 , C03C3/06 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/50 , G02B6/02014 , G02B6/02266
Abstract: 公开一种光纤,该光纤具有基于二氧化硅的芯体,所述芯体包含选自下组的碱金属氧化物:K2O、Na2O、Rb2O、Cs2O以及它们的混合物,所述芯体中碱金属氧化物的平均浓度约为50-500重量ppm,所述芯体还包含氯和氟,其中,所述芯体中氟的平均浓度大于所述芯体中所述碱金属氧化物的平均浓度,所述芯体中氯的平均浓度大于所述芯体所述碱金属氧化物的平均浓度;和基于二氧化硅的覆层,该覆层包围所述芯体并与芯体直接相邻。通过适当选择在芯体和覆层中的碱金属氧化物的浓度,可获得低损耗光纤。
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公开(公告)号:CN101495893A
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200780028597.9
申请日:2007-06-15
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G02B6/02 , C03B37/01446 , C03B37/01453 , C03B37/01807 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/50 , C03B2203/26 , C03B2203/29 , C03C3/06 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/50 , G02B6/02014 , G02B6/02266
Abstract: 公开一种光纤,该光纤具有基于二氧化硅的芯体,所述芯体包含选自下组的碱金属氧化物:K2O、Na2O、LiO2、Rb2O、Cs2O以及它们的混合物,所述芯体中碱金属氧化物的平均浓度约为50-500重量ppm,所述芯体还包含氯和氟,其中,所述芯体中氟的平均浓度大于所述芯体中所述碱金属氧化物的平均浓度,所述芯体中氯的平均浓度大于所述芯体所述碱金属氧化物的平均浓度;和基于二氧化硅的覆层,该覆层包围所述芯体并与芯体直接相邻。通过适当选择在芯体和覆层中的碱金属氧化物的浓度,可获得低损耗光纤。
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