光通信系统
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1878048A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200610099713.3

    申请日:2003-11-19

    Abstract: 利用阵列波导衍射光栅等路径设定电路的波长路由选择特性,构成以可靠性高且灵活的方式连接与路径设定电路连接的多个通信终端的光通信系统,光通信系统,包括具有成对的信号输出端口、信号输入端口的多个通信终端和具有多个光输入端口及多个光输出端口并设定为使从各光输入端口输入的光信号根据该光信号的波长输出到规定的光输出端口的多个路径设定电路。

    高频封装
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114503359B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202080068509.3

    申请日:2020-07-22

    Inventor: 田野边博正

    Abstract: 伪同轴线路(104)在第一连接部(105)处连接至第一共面线路(102),并且在第二连接部(106)处连接至第二共面线路(103)。第一共面线路(102)和第二共面线路(103)是例如差动共面线路。此外,伪同轴线路(104)的第二连接部(106)具有露出的背面凹部(107)。背面凹部(107)在平面图中呈大致半圆形形状、大致半椭圆形形状或矩形形状。

    高频线路连接结构
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114631226A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201980101823.4

    申请日:2019-10-29

    Abstract: 在本发明中,高频线路基板(2‑1)安装于印刷电路板(2‑2)上。印刷电路板(2‑2)设置有第一高频线路。高频线路基板(2‑1)设置有第二高频线路以及连接第一高频线路与第二高频线路的引脚(2‑1‑2a、2‑1‑2b、2‑1‑3a、2‑1‑3b)。在高频线路基板(2‑1)的信号引脚(2‑1‑3a、2‑1‑3b)与第二高频线路之间的邻接区段中,以及在高频线路基板(2‑1)的接地引脚(2‑1‑2a、2‑1‑2b)与第二高频线路之间的邻接区段中,接地引脚(2‑1‑2a、2‑1‑2b)的离印刷电路板(2‑2)的上表面的高度大于信号引脚(2‑1‑3a、2‑1‑3b)的高度。

    高频封装
    14.
    发明公开
    高频封装 审中-实审

    公开(公告)号:CN114503359A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202080068509.3

    申请日:2020-07-22

    Inventor: 田野边博正

    Abstract: 伪同轴线路(104)在第一连接部(105)处连接至第一共面线路(102),并且在第二连接部(106)处连接至第二共面线路(103)。第一共面线路(102)和第二共面线路(103)是例如差动共面线路。此外,伪同轴线路(104)的第二连接部(106)具有露出的背面凹部(107)。背面凹部(107)在平面图中呈大致半圆形形状、大致半椭圆形形状或矩形形状。

    高频封装的制造方法
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114450775A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202080068403.3

    申请日:2020-07-30

    Inventor: 田野边博正

    Abstract: 本发明包括:将第一引线框架(110)的第一引线(114)的末端(114b)连接至第一信号焊盘(104);将第二引线(115)的末端(115b)连接至第二信号焊盘(105);以及使用引线形状改变夹具(122)调整第一引线(114)的直线部与第二引线(115)的直线部之间的间距。

    半导体马赫-曾德尔光调制器

    公开(公告)号:CN113316740A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202080009448.3

    申请日:2020-01-08

    Abstract: 一个目的是解决由高频线和端接电阻之间的阻抗失配引起的光调制器的高频特性的劣化。半导体马赫‑曾德尔光调制器包括输入侧引出线(20~23)、相位调制电极线(24~27)、输出侧引出线(28~31)、将通过相位调制电极线(24~27)传播的调制信号施加到各个波导(16~19)的电极(32~35),以及接地线(48~50)。此外,在衬底和输出侧引出线(28~31)下方的下层中的介电层之间,沿输出侧引出线(28~31)间断地形成至少一个n型半导体层或p型半导体层。

    半导体马赫-曾德尔光调制器

    公开(公告)号:CN113316740B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202080009448.3

    申请日:2020-01-08

    Abstract: 一个目的是解决由高频线和端接电阻之间的阻抗失配引起的光调制器的高频特性的劣化。半导体马赫‑曾德尔光调制器包括输入侧引出线(20~23)、相位调制电极线(24~27)、输出侧引出线(28~31)、将通过相位调制电极线(24~27)传播的调制信号施加到各个波导(16~19)的电极(32~35),以及接地线(48~50)。此外,在衬底和输出侧引出线(28~31)下方的下层中的介电层之间,沿输出侧引出线(28~31)间断地形成至少一个n型半导体层或p型半导体层。

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