公开(公告)号：CN101221773A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810001530.2

申请日：2008-01-04

Applicant: 富士通株式会社 ,  财团法人神奈川科学技术研究院

Inventor： 伊藤健一 ,  菊地英幸 ,  中尾宏 ,  大岛弘敬 ,  马田孝博 ,  益田秀树 ,  西尾和之 ,  竹内光生 ,  伊达仁昭

IPC: G11B5/855 ,  G11B5/82

CPC classification number: G11B5/855

Abstract: 本发明提供了磁记录介质及其制造方法，其中，该方法能够高精度转印能够用作用于形成阳极化氧化铝纳米孔的源的图案并且实现高生产能力；该大容量磁记录介质能够实现高密度记录。所述方法包括：在形成在模子的表面上的凹凸图案上形成金属层；使用粘合剂将基片结合到金属层的与模子的相反侧的表面；从所述金属层分离所述模子；通过纳米孔形成处理形成多孔层，在所述多孔层中，通过将通过所述模子中的凹凸图案转印到所述金属层已经形成的凹凸图案用作纳米孔源来将多个纳米孔形成为在基本垂直于基片平面的方向上定向；以及将磁材料填入所述纳米孔中。