公开(公告)号：CN103890989A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201180074244.9

申请日：2011-10-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 百濑悟

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4273 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/426

Abstract: 本发明的光电转换元件具备：阳极（2）、阴极（5）、光电转换层（4）和设于阳极与光电转换层之间的含有MoO3的缓冲层（3），上述光电转换层（4）含有聚-[N-9”-十七烷基-2,7-咔唑-交替-5,5-（4’,7’-二-2-噻吩基2’,1’,3’-苯并噻二唑）]作为p型有机半导体材料且含有富勒烯或富勒烯衍生物作为n型有机半导体材料，光电转换层的与缓冲层相接的区域中的p型有机半导体材料的比率高于光电转换层整体中的p型有机半导体材料的比率，且光电转换层的比与缓冲层相接的区域更靠近阴极侧的区域中的p型有机半导体材料的比率低于光电转换层整体中的p型有机半导体材料的比率。

公开(公告)号：CN106574888B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201480080896.7

申请日：2014-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 壶井修 ,  丑込道雄 ,  百濑悟

IPC: G01N15/02 ,  G01N25/18 ,  G01N27/16

CPC classification number: G01N15/0205 ,  G01N15/0255 ,  G01N15/1404 ,  G01N15/1459 ,  G01N25/18 ,  G01N27/128 ,  G01N27/16 ,  G01N2015/0046 ,  G01N2015/1486

Abstract: 本发明涉及测量颗粒以及气体的测量装置、测量系统以及测量方法，测量装置(10)具备：第一流路(F1)；加热部(17)，其设置于第一流路(F1)的一端侧；气体感测部(15)，其设置于第一流路(Fa)的一端侧，且能够利用从加热部(17)接受到的热来感测气体；颗粒测量部(10a)，其在第一流路(F1)的比加热部(17)靠上方光学测量通过第一流路(F1)的颗粒。

公开(公告)号：CN104737319B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201280076453.1

申请日：2012-10-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 百濑悟 ,  吉川浩太 ,  土井修一

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/426 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电转换元件，具备阳极(2)、阴极(6)和光电转换层(4)，该光电转换层(4)含有构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)和n型有机半导体材料(4B)，作为上述p型有机半导体材料，含有在主链含有咔唑环、芴环或环戊并二噻吩环的非晶性的高分子化合物，作为上述n型有机半导体材料，含有非晶性的富勒烯衍生物，光电转换层在X射线衍射图谱中具有与面间距d＝1.6nm～2.0nm对应的衍射峰。

公开(公告)号：CN103890989B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201180074244.9

申请日：2011-10-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 百濑悟

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4273 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的光电转换元件具备：阳极（2）、阴极（5）、光电转换层（4）和设于阳极与光电转换层之间的含有MoO3的缓冲层（3），上述光电转换层（4）含有聚‑[N‑9”‑十七烷基‑2,7‑咔唑‑交替‑5,5‑（4’,7’‑二‑2‑噻吩基2’,1’,3’‑苯并噻二唑）]作为p型有机半导体材料且含有富勒烯或富勒烯衍生物作为n型有机半导体材料，光电转换层的与缓冲层相接的区域中的p型有机半导体材料的比率高于光电转换层整体中的p型有机半导体材料的比率，且光电转换层的比与缓冲层相接的区域更靠近阴极侧的区域中的p型有机半导体材料的比率低于光电转换层整体中的p型有机半导体材料的比率。

公开(公告)号：CN105580152A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201380079801.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 百濑悟 ,  吉川浩太 ,  土井修一

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0036 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0028 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/441

Abstract: 涂布含有作为构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)的聚-[N-9'-十七烷基-2,7-咔唑-交替-5,5-(4',7'-二-2-噻吩基2',1',3'-苯并噻二唑)]和作为n型有机半导体材料(4B)的富勒烯衍生物的混合液，使其干燥，暴露于含有与n型有机半导体材料相比优先溶解p型有机半导体材料的溶剂的蒸气的气氛中，由此形成光电转换元件的光电转换层(4)。