公开(公告)号：CN101894808B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201010184335.5

申请日：2010-05-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中谷忠司 ,  井上广章 ,  山田齐 ,  上田知史

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/014 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105

Abstract: 本发明提供了一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括衬底；设置在衬底上方的可移动电极；设置为面向可移动电极的静止电极；设置在衬底上并且围绕可移动电极和静止电极的墙部分；膜构件，其固定到在可移动电极和静止电极上方的墙部分，并且膜构件密封包括可移动电极和静止电极的空间；以及支撑部分，除了可移动电极和静止电极之外，还将支撑部分设置在衬底上的墙部分的内侧，以从空间的内部支撑膜构件。

公开(公告)号：CN102134051A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010570789.6

申请日：2010-11-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中谷忠司 ,  井上广章 ,  上田知史

IPC: B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01P1/12

Abstract: 本发明公开一种电子器件，其包括衬底，所述衬底包括有源层；信号电极，所述信号电极形成于所述有源层的表面上；第一驱动电极，所述第一驱动电极形成于所述有源层的所述表面上，并且连接到接地；和第二驱动电极，所述第二驱动地电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分形成于所述有源层的所述表面上，所述第二部分连接到所述第一部分，并且所述第二部分设置在所述第一驱动电极上方。所述衬底具有环状凹槽，所述环状凹槽穿透所述有源层并且围绕所述第一部分。