公开(公告)号：CN102754218B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180008733.4

申请日：2011-02-02

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐藤圭吾 ,  中山龙一 ,  祐谷重德 ,  向井厚史 ,  铃木信也 ,  宫下阳太

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/18 ,  H01L31/03926 ,  H05K1/053 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2203/0315 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/12479

Abstract: 一种具有绝缘层的金属基板，其包括至少具有铝基底的金属基板和形成在所述金属基板的所述铝基底上的绝缘层。绝缘层是铝的多孔型阳极氧化膜。阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少多孔层部分在室温具有压缩应变。应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。

公开(公告)号：CN102782866B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201180007982.1

申请日：2011-01-26

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 祐谷重德

IPC: H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/03928 ,  H01B3/02 ,  H01G9/2068 ,  H01G9/2081 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/542 ,  Y10T428/12479 ,  Y10T428/12611

Abstract: 绝缘金属基板用于半导体器件诸如太阳能电池。所述基板包括由钢、铁基合金钢或钛制成的金属基体，铝层和通过将铝阳极氧化而获得的绝缘层。主要由组成用Al3X(其中X是选自Fe、Cr和Ti的至少一种元素)表示的合金制成的合金层存在于金属基体和铝层之间的界面中，并且具有0.01至10微米的厚度。铝层的厚度为1微米以上并且等于或小于金属基体的厚度。

公开(公告)号：CN102421945A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020211.1

申请日：2010-05-07

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 祐谷重德 ,  垣内良藏 ,  泽田宏和

IPC: C25D11/04 ,  C22C21/00 ,  H01B5/02 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0392 ,  C22C21/00 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  Y02E10/541

Abstract: 提供了一种具有绝缘层的金属基板，和获得所述金属基板的Al基材，所述金属基板能够通过简单工艺制备，在半导体加工过程中表现出耐热性，具有优异的耐电压性，并且具有小的泄漏电流。所述具有绝缘层的金属基板通过在Al基材的至少一个表面上进行阳极氧化而形成。所述Al基材仅包含通过阳极氧化阳极化的物质的析出粒子作为Al基体中的析出粒子。