公开(公告)号：CN104247024B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201380013907.5

申请日：2013-03-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今井文一

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/872

Abstract: 在通过在碳化硅基板(1)沉积低浓度n型漂移层(2)而成的半导体基板的前表面上形成有与半导体基板形成肖特基接触的第一前表面金属层(11)。第一前表面金属层(11)的外周端部在覆盖边缘部的层间绝缘膜(6)上延伸。在该第一前表面金属层(11)上形成构成前表面电极的第二前表面金属层(12)，在通过干刻形成其一部分时，利用第二前表面金属层(12)完全覆盖成为肖特基接触金属的第一前表面金属层(11)。由此，在用于形成第二前表面金属层(12)的图案化工序中能防止蚀刻残留物，从而能提供可靠性较高的前表面电极结构以及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN105453228A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044578.5

申请日：2014-08-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中岛经宏 ,  岩谷将伸 ,  今井文一

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 首先，在n+型SiC基板(1)的正面上生长n-型SiC外延层(2)。这时，在n+型SiC基板(1)的背面上也生长背面侧n-型SiC升华层。接下来，通过磨削除去背面侧n-型SiC升华层和n+型SiC基板(1)的背面的表面层。接下来，对在n+型SiC基板(1)的磨削后的背面的表面层产生的变质层进行化学机械研磨。接下来，在n+型SiC基板(1)的研磨后的背面形成镍膜。接下来，通过热处理使镍膜硅化而形成硅化镍层。接下来，在硅化镍层的表面上，依次堆叠钛膜、镍膜和银膜而形成背面电极。通过进行以上工序，能够抑制背面电极剥离。

公开(公告)号：CN105308722A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480028190.6

申请日：2014-11-07

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今井文一 ,  中岛经宏

IPC: H01L21/28 ,  C23C14/14 ,  H01L21/285 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/45 ,  C23C14/185 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608

Abstract: 在SiC晶片的背面依次形成钛层和镍层。接下来，通过高温热处理对SiC晶片进行加热而将钛层和镍层烧结，形成包含碳化钛的硅化镍层。通过该高温热处理，从而形成SiC晶片与硅化镍层的欧姆接触。其后，形成在硅化镍层上依次层叠有钛层、镍层和金层而成的背面电极层叠体。此时，在形成构成背面电极层叠体的镍层时，在将镍层的厚度记为x[nm]，将镍层的成膜速度记为y[nm/秒]时，以满足0.0＜y＜-0.0013x+2.0的条件形成镍层。由此，能够抑制背面电极剥离。

公开(公告)号：CN104247024A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380013907.5

申请日：2013-03-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今井文一

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/872

Abstract: 在通过在碳化硅基板(1)沉积低浓度n型漂移层(2)而成的半导体基板的前表面上形成有与半导体基板形成肖特基接触的第一前表面金属层(11)。第一前表面金属层(11)的外周端部在覆盖边缘部的层间绝缘膜(6)上延伸。在该第一前表面金属层(11)上形成构成前表面电极的第二前表面金属层(12)，在通过干刻形成其一部分时，利用第二前表面金属层(12)完全覆盖成为肖特基接触金属的第一前表面金属层(11)。由此，在用于形成第二前表面金属层(12)的图案化工序中能防止蚀刻残留物，从而能提供可靠性较高的前表面电极结构以及半导体器件的制造方法。