公开(公告)号：CN115663057B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202211335276.6

申请日：2022-10-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  黄辉 ,  侯蕊 ,  夏超 ,  李晨曦 ,  周祥 ,  陶金龙 ,  黄志祥

IPC: H10F30/22 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明公开了一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2薄膜光电探测器及其制备方法，该探测器是利用多层WSe2薄膜实现光探测的双端器件，且多层WSe2薄膜通过氢氩混合等离子体进行处理，以减薄WSe2薄膜的层数、并修复多层WSe2晶体的本征缺陷。本发明的光电探测器兼顾高探测率、快响应速度以及低暗电流等优势，具有超高的探测灵敏度，且可用于探测微弱的光信号。

公开(公告)号：CN114695581B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202210456530.1

申请日：2022-04-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  李晨曦 ,  周雪 ,  周祥 ,  夏超 ,  黄辉 ,  候蕊 ,  王宁

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C03C17/34 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化铋纳米片阵列的制备方法及基于其的异质结型光电极，是通过改进Bi2S3纳米片阵列的合成工艺，获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2S3纳米片阵列，然后通过合适的工艺方法将其与Bi2O2Se纳米片构建为异质结光电极，二者表现出极强的协同增效作用，所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2S3纳米片阵列的制备方法与异质结的构建方法，都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。

公开(公告)号：CN115241368A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210900119.9

申请日：2022-07-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  周祥 ,  王宁 ,  李晨曦 ,  夏超 ,  黄辉 ,  黄志祥

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/铯铅溴量子点存储介质层的非易失性存储器件及其制备方法，其是在衬底上逐层设有MXene层和CsPbBr3量子点层。本发明的非易失性存储器件灵活性高、可拉伸性强，具有广阔的市场前景；且本发明的非易失性存储器件基于二维无机化合物MXene与CsPbBr3量子点的协同而实现，制备方法简单、低成本，可实现工业化大规模生产。